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公开(公告)号：CN103858344B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280026658.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/7781 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/1075 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , H01L51/0023 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。
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公开(公告)号：CN103329244A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180064269.0
申请日：2011-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02527 , H01L21/044 , H01L29/1606 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4916 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684
Abstract: 一种电子器件包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；以及沟道。所述沟道包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层。所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上。在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极。所述局部第一和第二栅极中的每一者与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合。所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。
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公开(公告)号：CN103329244B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180064269.0
申请日：2011-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02527 , H01L21/044 , H01L29/1606 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/4916 , H01L29/517 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684
Abstract: 一种电子器件包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；以及沟道。所述沟道包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层。所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上。在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极。所述局部第一和第二栅极中的每一者与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合。所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。
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公开(公告)号：CN103858344A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280026658.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/7781 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/1075 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , H01L51/0023 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/055
Abstract: 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。
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