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公开(公告)号：CN108267935A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810150752.4
申请日：2018-02-13
申请人： 佛山尉达科技有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70216 , G03F7/70833
摘要： 本发明公开了一种曝光装置，包括曝光腔室、光源组件、投影组件、承载台、固定支撑件、支撑框架；光源组件、投影组件和承载台均设置于曝光腔室内；光源组件用于产生曝光光线；投影组件具有透镜、连杆构件、支撑构件以及驱动机构；支撑构件具有安装台，安装台由支撑部件和支承构件构成，第一、第二接收部件附接到支承构件的上端部；支撑部件是在上下方向延伸的棱柱部件，支承构件的下端部形成有向下方突出的锥形部分；支撑部件设置有筒状部，支承构件包括桩、一对条状支承件和一个板状部，形成于支承构件上的条状支承件的下端嵌合于筒状部。本发明能稳固地支撑投影组件中的透镜。
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公开(公告)号：CN104395985B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201380033974.3
申请日：2013-04-30
申请人： 株式会社尼康
发明人： 北尚宪
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G02B27/0012 , G01M11/02 , G02B26/0833 , G02B27/0927 , G02B27/0933 , G03F7/40 , G03F7/70116 , G03F7/70133 , G03F7/70141 , G03F7/70216
摘要： 例如通过遍及光瞳亮度分布的大致整体的离散性微小调制，可靠且迅速地改善光瞳亮度分布。包含：第5工序，使用由第1工序至第4工序构成的评价方法，求出通过形成在照明光瞳上的光瞳亮度分布得到的指标值；第6工序，按单位光瞳区域求出在前面的工序中求出的离散数据中、指标值的单位变化量；第7工序，利用使用单位变化量的改善方法，以使指标值接近目标指标值的方式求出调制后的离散数据；以及第8工序，使用由第1工序至第4工序构成的评价方法，求出与在第7工序中求出的调制后的离散数据对应地得到的指标值，通过重复第6工序至第8工序直到与调制后的离散数据对应地得到的指标值的误差收敛在容许范围内，改善应形成在照明光瞳上的光瞳亮度分布。
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公开(公告)号：CN106298801A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610446982.6
申请日：2016-06-20
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： G02F1/133788 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133519 , G02F2001/133742 , G02F2001/134345 , G03F1/36 , G03F7/70216 , H01L27/1214 , G03F1/14 , H01L27/1288
摘要： 本发明涉及掩模、显示装置以及制造显示装置的方法。一种掩模，包括基底基板，以及在基底基板上的包括透光部和遮光部的遮光图案，其中，遮光部包括第三源电极部、与第三源电极部间隔开并且包括平行于第三源电极部的至少一部分的第三漏电极部、在第三源电极部的面向第三漏电极部的端部处的第一辅助遮光部、以及在第三漏电极部的面向第三源电极部的端部处的第二辅助遮光部。
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公开(公告)号：CN103282512A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063540.9
申请日：2011-12-27
申请人： 萨尼根有限公司
CPC分类号： C12Q1/24 , G01N1/02 , G01N2001/028 , G02B27/18 , G03F7/70216 , G09F19/18
摘要： 本发明涉及收集微生物样品以用于制备韩国食品标准法典的微生物分析指南中的测试溶液。更具体地，本发明涉及一种利用非接触式划分系统从固体物质的表面收集微生物样品的方法以及一种用于划分固体物质的表面的装置，其中，采用使用光源的样品表面分区装置，从而利用光源在固体物质的表面形成最佳分区的样品面积而不引起固体物质的表面与操作者或分区工具之间的直接接触，该结果可防止固体材料的表面在分区期间被污染，并且可提高样品的精度，而且简化分区过程以能够连续工作并且缩短了处理该样品所需的时间，并且尤其是，用于划分固体材料的表面的装置可无限次重复利用以降低取样的成本。
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公开(公告)号：CN103109225A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044617.8
申请日：2011-09-13
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： H-J.曼恩
CPC分类号： G03F7/70233 , G02B5/09 , G02B13/08 , G02B17/0663 , G02B26/0833 , G03F7/70058 , G03F7/701 , G03F7/702 , G03F7/70216
摘要： 一种用于投射曝光系统的成像光学系统(9)，其具有至少一个变形成像光学元件(M1至M6)。这允许以第一方向上的大物方数值孔径在该方向上完全照明像场，而不必扩大要被成像的掩模母版的范围，并且不减小投射曝光系统的生产能力。
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公开(公告)号：CN101384968B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780005789.8
申请日：2007-03-16
申请人： 株式会社尼康
发明人： 加藤正纪
CPC分类号： G02B17/004 , G02B17/08 , G02B27/0043 , G03F7/70216 , G03F7/70275 , G03F7/70791
摘要： 一种扫描型曝光装置，使用配置于扫描方向前方侧的第1投影光学系统PL2及配置于扫描方向后方侧的第2投影光学系统PL1，一边改变第1投影光学系统及第2投影光学系统与第1物体M及第2物体P在扫描方向上的位置关系，一边将第1物体的图案转印曝光至第2物体上，且第1投影光学系统及第2投影光学系统分别将第1物体上的视场内的放大像形成于第2物体上的像场内，当将第1投影光学系统及第2投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dm，将第1投影光学系统及第2投影光学系统的像场的中心彼此在上述扫描方向上的间隔设为Dp，且将第1投影光学系统及第2投影光学系统各自的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|(其中，|β|＞1)。
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公开(公告)号：CN102770806A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064274.7
申请日：2010-12-17
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70216
摘要： 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。
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公开(公告)号：CN1641482B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410081822.3
申请日：2004-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·J·范迪塞多克 , M·M·T·M·迪里奇斯 , H·-J·沃尔马
CPC分类号： G03F7/70216 , G03F7/70275 , G03F7/70308
摘要： 一种光刻装置，包括设置在投影系统的中间焦点处或其附近的辐射衰减器或可变孔径系统，如遮光叶片。除了辐射衰减器或可变孔径系统之外，测量系统可以设置在中间焦点处。通过将这些系统的一个或多个放置于投影系统的中间焦点处而不是放置于照射系统的中间掩模版附近，因其有更大的可用空间而存在较少的设计限制，导致较低的设计成本。
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公开(公告)号：CN101375372A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003500.9
申请日：2007-02-08
申请人： 株式会社尼康
发明人： 加藤正纪
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/08 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70791 , G03F7/70216 , G03F7/70275
摘要： 本发明是分别经由具有放大倍率的多个投影光学系统，将光罩(M)的图案(M1、M2)投影曝光于基板上的曝光方法，此曝光方法是将具有以对应于上述放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案区域(M1)、以及至少一部分设于第1图案区域(M1)之间的第2图案区域(M2)的光罩(M)，配置于投影光学系统的物体面侧，使第1图案区域(M1)与第2图案区域(M2)中的其中一个图案区域的放大像分别投影曝光至配置于投影光学系统的像面侧的基板上之后，将另一个图案区域的放大像投影曝光于该基板上。
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公开(公告)号：CN1282039C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02145591.0
申请日：2002-12-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： W·J·波克斯
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70058 , G03F7/70216 , G03F7/70891 , G03F7/70958
摘要： 用低CTE材料制造光刻装置中的光学元件，所述材料在所述元件的制造温度和其平均工作温度的之间的温度处具有CTE过零值。
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