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公开(公告)号：CN103227293B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310119691.2
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/52 , H01L27/32 , G09G3/3291
CPC分类号： H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
摘要： 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN103474456A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310338191.8
申请日：2009-10-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC分类号： H01L27/1225 , G09G3/20 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/247 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。
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公开(公告)号：CN115968502A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202180050368.7
申请日：2021-08-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。
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公开(公告)号：CN101728424B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200910207022.4
申请日：2009-10-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC分类号： H01L27/1225 , G09G3/20 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/247 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。
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公开(公告)号：CN102255053A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110184965.7
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
摘要： 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN102244202A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184889.X
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
摘要： 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN1700826B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200510081725.9
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
摘要： 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN101728278A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207327.5
申请日：2009-10-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869
摘要： 本发明的一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN116234777A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180072821.4
申请日：2021-10-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C01G51/00
摘要： 提供一种劣化原因的缺陷少或其发展得到抑制的正极活性物质。本发明是一种用于二次电池的正极活性物质，正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在对将正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，正极活性物质包括缺陷，缺陷的附近区域中至少包含与添加元素相同的元素。添加元素还包含在正极活性物质的表层部。
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公开(公告)号：CN102244202B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110184889.X
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
摘要： 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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