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公开(公告)号：CN101728278A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207327.5
申请日：2009-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN103872141B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410112160.5
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。
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公开(公告)号：CN101728276A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207024.3
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层对氧化物半导体膜以及导电膜进行蚀刻。作为蚀刻工序，采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN105448969B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510834526.4
申请日：2009-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/66 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN102945862A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210332037.5
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728277B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN200910207025.8
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN105448969A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510834526.4
申请日：2009-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/66 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN102945862B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210332037.5
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN103872141A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410112160.5
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。
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公开(公告)号：CN101728276B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN200910207024.3
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层对氧化物半导体膜以及导电膜进行蚀刻。作为蚀刻工序，采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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