公开(公告)号：CN116803231A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180068990.0

申请日：2021-10-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  大野敏和 ,  佐藤优一 ,  江头祥惠 ,  川口忍

IPC: H10B53/30

Abstract: 提供一种具有良好的铁电性的铁电器件。该铁电器件包括第一绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的铁电层、铁电层上的第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及包裹第一导电体、铁电层、第二导电体及第二绝缘体的第三绝缘体，第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。

公开(公告)号：CN116157903A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180055621.8

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  伊藤俊一 ,  川口忍 ,  高桥正弘

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。

公开(公告)号：CN115968502A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202180050368.7

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  伊藤俊一 ,  小松良宽 ,  川口忍 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成导电体，在导电体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成第三绝缘体，在第三绝缘体上形成氧化物，进行第一加热处理，以及在进行第一加热处理之后，接着进行第二加热处理，其中第一加热处理的温度低于第二加热处理的温度。