公开(公告)号：CN114008778A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080045288.8

申请日：2020-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  池田隆之 ,  加藤清 ,  柳泽悠一 ,  水上翔太 ,  津田一树

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  H03F3/195

Abstract: 提供一种电路面积的增加得到抑制且功耗得到降低的半导体装置。半导体装置包括高频放大电路、包络检波电路以及电源电路。电源电路具有将电源电位供应到高频放大电路的功能，高频放大电路的输出与包络检波电路连接，包络检波电路的输出与电源电路连接。电源电路可以通过根据高频放大电路的输出改变上述电源电位而降低功耗。此外，通过使用OS晶体管构成包络检波电路，可以抑制电路面积的增加。

公开(公告)号：CN113330553A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089932.9

申请日：2019-11-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 水上翔太 ,  大贯达也 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，晶体管包括第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的设置有槽部的氧化物、配置在氧化物中的不与槽部重叠的区域的第二导电体及第三导电体、位于第二导电体与第三导电体间且配置在氧化物的槽部的第二绝缘体以及第二绝缘体上的第四导电体，第四导电体的底面低于第二导电体的底面及第三导电体的底面，在看晶体管的沟道长度的截面时，槽部的底面的端部具有曲率。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。