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公开(公告)号：CN114787998A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084468.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11582 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/405
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。设置在第一方向上延伸的结构体、在第二方向上延伸的第一导电体及在第二方向上延伸的第二导电体。在结构体与第一导电体交叉的第一交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体、第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。在结构体与第二导电体交叉的第二交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第四导电体、第二半导体及第三绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。
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公开(公告)号：CN114981967A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009503.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。在Z方向上延伸且包含导电体和氧化物半导体的存储器串与在Y方向上延伸的多个布线CG交叉。导电体沿着存储器串的中心轴配置，氧化物半导体在导电体的外侧被配置为同心状。导电体与氧化物半导体电连接。存储器串与布线CG的交叉部被用作晶体管。此外，交叉部被用作存储单元。
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公开(公告)号：CN114008778A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080045288.8
申请日：2020-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/06 , H01L29/786 , H03F3/195
Abstract: 提供一种电路面积的增加得到抑制且功耗得到降低的半导体装置。半导体装置包括高频放大电路、包络检波电路以及电源电路。电源电路具有将电源电位供应到高频放大电路的功能，高频放大电路的输出与包络检波电路连接，包络检波电路的输出与电源电路连接。电源电路可以通过根据高频放大电路的输出改变上述电源电位而降低功耗。此外，通过使用OS晶体管构成包络检波电路，可以抑制电路面积的增加。
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公开(公告)号：CN114175249A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054266.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11519 , G11C11/40 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。延伸在第一方向上的第一导电体的侧面从第一导电体一侧看时依次设置有第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体。第一导电体具有隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第二导电体重叠的第一区域、以及隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第三导电体重叠的第二区域。在第二区域中，包括第一绝缘体和第一半导体之间的第四导电体。
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公开(公告)号：CN113767479A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202080032977.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H03K3/03
Abstract: 提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116194926A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180062871.4
申请日：2021-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60
Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及电容器。第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极。对于第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性。第一晶体管具有在处于关闭状态时保持对应于第一数据的第一电位的功能。第二晶体管具有使输出电流流过第二晶体管的源极‑漏极间的功能。
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公开(公告)号：CN115769497A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047446.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 提供一种新颖半导体装置，该半导体装置使用比较两个电流值的比较部、控制部及电流输出型数字‑模拟转换部将模拟信号转换为数字信号。控制部具有如下功能：生成表示两个电流值的大小关系的符号位；通过逐次逼近将两个电流值之差分转换为数字信号；以及输出符号位及数字信号。
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公开(公告)号：CN114787986A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080080493.8
申请日：2020-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。该半导体装置是延伸在Z方向上的存储器串，通过将氧化物半导体用于半导体层来实现高速工作。存储器串包括MONOS型存储单元，控制栅极一侧设置有隧穿层，半导体一侧设置有阻挡层。在删除工作中从控制栅极一侧向电荷累积层注入空穴。
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公开(公告)号：CN118891737A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380028618.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括金属氧化物、金属氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体、在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体以及具有与第四导电体重叠的区域的第五导电体。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
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公开(公告)号：CN117203690A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030191.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置。该显示装置包括多个显示面板、具有曲面的固定构件以及收纳有固定构件的框体。显示面板包括具有像素电路的显示部、以包围显示部的方式设置的非显示部、驱动像素电路的栅极驱动器电路和源极驱动器电路。栅极驱动器电路设置在与显示部重叠的位置上。源极驱动器电路设置在与非显示部重叠的位置上。多个显示面板沿着固定构件的曲面固定。
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