公开(公告)号：CN116895311A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310279282.2

申请日：2023-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  大下智 ,  力丸英史

IPC: G11C11/40 ,  H10B10/00 ,  G11C11/409 ,  G11C11/408

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括存储层及驱动电路层。存储层层叠地设置在驱动电路层上，各存储层分别包括具有多个存储单元的存储单元阵列。存储单元利用写入字线、读出字线、写入位线及读出位线控制数据的写入或读出。驱动电路层包括驱动写入字线、读出字线、写入位线及读出位线的驱动电路部及运算电路部。驱动电路部包括用来控制每个设置在各层中的存储单元阵列的数据写入或读出的多个驱动电路。运算电路部使用通过驱动电路部读出的设置在各层中的存储单元阵列所保持的数据进行运算处理。

公开(公告)号：CN115769497A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180047446.8

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 金村卓郎 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  津田一树 ,  大下智 ,  力丸英史

IPC: H03M1/46

Abstract: 提供一种新颖半导体装置，该半导体装置使用比较两个电流值的比较部、控制部及电流输出型数字‑模拟转换部将模拟信号转换为数字信号。控制部具有如下功能：生成表示两个电流值的大小关系的符号位；通过逐次逼近将两个电流值之差分转换为数字信号；以及输出符号位及数字信号。

公开(公告)号：CN117203690A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030191.9

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  津田一树 ,  力丸英史 ,  黑川义元

IPC: G09F9/00

Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置。该显示装置包括多个显示面板、具有曲面的固定构件以及收纳有固定构件的框体。显示面板包括具有像素电路的显示部、以包围显示部的方式设置的非显示部、驱动像素电路的栅极驱动器电路和源极驱动器电路。栅极驱动器电路设置在与显示部重叠的位置上。源极驱动器电路设置在与非显示部重叠的位置上。多个显示面板沿着固定构件的曲面固定。

公开(公告)号：CN116897354A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280017789.4

申请日：2022-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  乡户宏充 ,  津田一树 ,  大下智 ,  力丸英史

IPC: G06G7/60

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：执行人工神经网络中的第一层次的积和运算及第二层次的积和运算的单元阵列；对单元阵列输入第一数据的第一电路；以及从单元阵列输出第二数据的第二电路。单元阵列包括多个单元。单元阵列包括第一区域以及第二区域。在第一期间，第一区域被第一电路输入第t(t为2以上的自然数)第一数据而将对应于第一层次的积和运算的第t第二数据输出到第二电路。第二区域被第一电路输入第(t‑1)第一数据而将对应于第二层次的积和运算的第(t‑1)第二数据输出到第二电路。

公开(公告)号：CN116157911A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180059759.5

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  津田一树 ,  黑川义元 ,  大下智 ,  金村卓郎 ,  力丸英史

IPC: H01L21/8234

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容器。第一晶体管具有在关闭状态时保持对应于通过第一晶体管供应到第三晶体管的栅极的第一数据的第一电位的功能。电容器具有根据对应于供应到一个电极的第二数据的电位变化而将在第三晶体管的栅极中保持的第一电位变为第二电位的功能。第二晶体管具有使第三晶体管的源极和漏极中的一个的电位成为对应于第二晶体管的栅极电位的电位的功能。第三晶体管具有使对应于第三晶体管的栅极电位的输出电流流过源极和漏极中的另一个的功能。当第三晶体管在亚阈值区域中工作时，输出电流流过。