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公开(公告)号：CN119343680A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045608.3
申请日：2023-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种电路规模小且功耗得到降低的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括进行数字方式的运算的第一运算部以及进行模拟方式的运算的第二运算部。在卷积神经网络的运算中，在第一运算部执行卷积层的运算，在第二运算部执行全连接层的运算。卷积层在很多情况下反复使用同一滤波值，因此第一运算部采用如下结构：以同一滤波值为一个输入且以进行卷积处理的数据为多个输入，同时执行多个积和运算。此外，全连接层需要输入数据数与输出数据数之积的权系数，因此第二运算部采用如下结构：在配置为矩阵状的运算单元中，在运算单元的每一个保持权系数，通过对各行方向发送输入数据来从各列方向输出输出数据。
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公开(公告)号：CN119032347A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034197.8
申请日：2023-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电路规模小且功耗得到降低的半导体装置。本发明是一种包括第一至第四单元、第一、第二电路以及第一至第四电流生成电路的半导体装置。第一单元通过第一布线及第一电流生成电路与第三单元电连接，并通过第二布线与第一电路电连接。第二单元通过第三布线及第二电流生成电路与第四单元电连接，并通过第四布线与第二电路电连接。第三单元通过第三电流生成电路及第四布线与第二单元电连接。第四单元通过第四电流生成电路及第二布线与第一单元电连接。注意，第一、第二电流生成电路被用作电流镜电路，第三、第四电流生成电路被用作函数类运算电路。在第一、第二单元中进行积运算，在第三、第四单元中保持该运算结果。
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公开(公告)号：CN119234309A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380040260.9
申请日：2023-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/07 , G11C5/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L23/36 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B41/20 , H10B99/00
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括具有生成第一电压的第一电源电路的基础裸片、具有通过被供应第一电压而生成第二电压的第二电源电路的第一裸片以及具有通过被供应第二电压而工作的功能电路的第二裸片。第一裸片及第二裸片包括第一贯通电极及第二贯通电极。第一裸片设置在基础裸片上。第二裸片以接触于第一裸片的上层或下层的方式设置。基础裸片与第一裸片通过第一贯通电极电连接。第一裸片与第二裸片通过第二贯通电极电连接。
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公开(公告)号：CN116895311A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310279282.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/40 , H10B10/00 , G11C11/409 , G11C11/408
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括存储层及驱动电路层。存储层层叠地设置在驱动电路层上，各存储层分别包括具有多个存储单元的存储单元阵列。存储单元利用写入字线、读出字线、写入位线及读出位线控制数据的写入或读出。驱动电路层包括驱动写入字线、读出字线、写入位线及读出位线的驱动电路部及运算电路部。驱动电路部包括用来控制每个设置在各层中的存储单元阵列的数据写入或读出的多个驱动电路。运算电路部使用通过驱动电路部读出的设置在各层中的存储单元阵列所保持的数据进行运算处理。
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公开(公告)号：CN114787998A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084468.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11582 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/405
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。设置在第一方向上延伸的结构体、在第二方向上延伸的第一导电体及在第二方向上延伸的第二导电体。在结构体与第一导电体交叉的第一交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体、第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。在结构体与第二导电体交叉的第二交叉部，结构体包括第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第四导电体、第二半导体及第三绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116194926A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180062871.4
申请日：2021-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60
Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及电容器。第一晶体管包括第一栅极及第一背栅极，第二晶体管包括第二栅极及第二背栅极。对于第一背栅极的栅极绝缘层具有铁电性。第一晶体管具有在处于关闭状态时保持对应于第一数据的第一电位的功能。第二晶体管具有使输出电流流过第二晶体管的源极‑漏极间的功能。
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公开(公告)号：CN115769497A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047446.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 提供一种新颖半导体装置，该半导体装置使用比较两个电流值的比较部、控制部及电流输出型数字‑模拟转换部将模拟信号转换为数字信号。控制部具有如下功能：生成表示两个电流值的大小关系的符号位；通过逐次逼近将两个电流值之差分转换为数字信号；以及输出符号位及数字信号。
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公开(公告)号：CN116897354A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280017789.4
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：执行人工神经网络中的第一层次的积和运算及第二层次的积和运算的单元阵列；对单元阵列输入第一数据的第一电路；以及从单元阵列输出第二数据的第二电路。单元阵列包括多个单元。单元阵列包括第一区域以及第二区域。在第一期间，第一区域被第一电路输入第t(t为2以上的自然数)第一数据而将对应于第一层次的积和运算的第t第二数据输出到第二电路。第二区域被第一电路输入第(t‑1)第一数据而将对应于第二层次的积和运算的第(t‑1)第二数据输出到第二电路。
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公开(公告)号：CN116157911A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180059759.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容器。第一晶体管具有在关闭状态时保持对应于通过第一晶体管供应到第三晶体管的栅极的第一数据的第一电位的功能。电容器具有根据对应于供应到一个电极的第二数据的电位变化而将在第三晶体管的栅极中保持的第一电位变为第二电位的功能。第二晶体管具有使第三晶体管的源极和漏极中的一个的电位成为对应于第二晶体管的栅极电位的电位的功能。第三晶体管具有使对应于第三晶体管的栅极电位的输出电流流过源极和漏极中的另一个的功能。当第三晶体管在亚阈值区域中工作时，输出电流流过。
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公开(公告)号：CN114503202A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080068983.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/405 , H01L27/115
Abstract: 本发明的一个方式提供一种存储容量大的存储装置。本发明的一个方式是一种连接有多个存储单元的NAND型存储装置，该存储单元包括写入用晶体管、读出用晶体管及电容器，将氧化物半导体用于写入用晶体管的半导体层。读出用晶体管包括背栅极。通过对背栅极施加读出用电压，读出存储单元所保持的信息。
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