公开(公告)号：CN115053344A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013072.8

申请日：2021-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大嶋和晃 ,  国武宽司

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够进行高速的数据传送且电路面积减小了的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有彼此相对的两个面的层、半导体芯片以及外部端子。半导体芯片设置在层的一个面一侧，外部端子设置在层的另一个面一侧的至少不与半导体芯片重叠的区域中。半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，层包括含有第二晶体管的第二电路。第一电路与第二电路电连接，第二电路与外部端子电连接。并且，第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。此外，第二电路也可以为CML电路。此外，层的一个面的上方及半导体芯片的侧面也可以设置有绝缘体。

公开(公告)号：CN117836837A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280057362.7

申请日：2022-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大嶋和晃 ,  井上达则 ,  幸村雄介

IPC: G09G3/20 ,  G09G5/00 ,  G09G5/14

Abstract: 提供一种功耗得到降低的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括：包括第一区域及第二区域的显示部；与第一区域对应的第一驱动电路；与第二区域对应的第二驱动电路；第一电路；第二电路；第一信号生成电路；以及第二信号生成电路。第一电路具有生成对应于第一图像的第一图像信号的功能，第二电路具有生成对应于第二图像的第二图像信号的功能。另外，第二图像包括文字信息。第一信号生成电路具有生成具有第一帧频的时钟信号的功能，第二信号生成电路具有生成比第一帧频低的第二帧频的时钟信号的功能。显示装置在将第一图像信号发送到第一驱动电路时以第一帧频在第一区域上显示第一图像，在将第二图像信号发送到第二驱动电路时以第二帧频在第二区域上显示第二图像。

公开(公告)号：CN117546201A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280045099.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  黑川义元 ,  井上圣子 ,  大嶋和晃 ,  山崎舜平

IPC: G06T1/40

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够顺畅地进行交流的电子设备。电子设备包括包括第一相机的显示部、第二相机及图像处理部。第二相机配置在不与显示部重叠的区域中。第一相机具有生成拍摄被摄体的第一图像的功能，第二相机具有生成拍摄被摄体的第二图像的功能。图像处理部包括利用监督数据进行学习的生成器。监督数据包括包括人脸的图像。图像处理部具有通过将第一图像输入到生成器使第一图像清晰的功能以及根据第二图像追踪被摄体的视线的功能。

公开(公告)号：CN118355442A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280080356.3

申请日：2022-12-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  藤田雅史 ,  大嶋和晃

IPC: G11C5/14 ,  G06F1/3287

Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一组件；第二组件；以及指令部，其中，第一组件包括具有在被供电的状态下储存第一设定信息的功能的第一存储电路以及具有在不被供电的状态下储存第一设定信息的功能的第二存储电路，第二组件包括具有在被供电的状态下储存第二设定信息的功能的第三存储电路以及具有在不被供电的状态下储存第二设定信息的功能的第四存储电路，指令部具有控制是否对第一组件和第二组件的每一个供电的功能，并且，第二存储电路及第四存储电路都包括在形成沟道的半导体层中包含金属氧化物的晶体管。

公开(公告)号：CN113875149A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080038069.7

申请日：2020-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大嶋和晃 ,  国武宽司 ,  井上达则

IPC: H03D7/00 ,  H03D7/12 ,  H03D7/14 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式提供一种电路面积小且抑制因热量而工作能力下降的混频器及半导体装置。一种包括差动部、电流源、第一负载、输入端子及第一输出端子的混频器，差动部包括第一晶体管、第二晶体管，第一晶体管、第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子与输入端子及电流源电连接，第一晶体管的第二端子与第一负载的第一端子及第一输出端子电连接。通过向第一负载的第二端子供应电压，第一负载具有使电流流过第一负载的第一端子与第二端子之间的功能，电流源具有使恒电流从第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子流向电流源的功能。电流源包括在沟道形成区域中含硅的晶体管，差动部在电流源的上方。

公开(公告)号：CN119404607A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047193.3

申请日：2023-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  泽井宽美 ,  沼田至优 ,  大嶋和晃

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/3205 ,  H10D30/01 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H01L23/522 ,  H10D84/00 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D30/67 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B41/70 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 提供一种具有良好电特性的半导体装置。半导体装置包括第一叠层体、具有第一叠层体下的沟道形成区域的半导体层、半导体层下的第二叠层体。第一叠层体及第二叠层体至少包括第一绝缘体及第二绝缘体。此时，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有隔着第一叠层体所包括的第一绝缘体、沟道形成区域及第二叠层体所包括的第一绝缘体彼此重叠的区域。此外，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有共同的功能，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有共同的功能。

公开(公告)号：CN118401927A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082619.4

申请日：2022-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  藤田雅史 ,  大嶋和晃

IPC: G06F12/06 ,  G06F9/48 ,  G11C5/04 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种具有新颖的结构的半导体装置。半导体装置包括寄存器。寄存器包括触发器及多个数据保持电路。触发器包括包含沟道形成区域的半导体层由硅构成的第一晶体管，触发器的输入端子与各数据保持电路的输出端子电连接，触发器的输出端子与各数据保持电路的输入端子电连接。数据保持电路包括包含沟道形成区域的半导体层由氧化物半导体构成的第二晶体管并具有通过使第二晶体管成为非导通状态而保持对应于多个任务的数据所对应的电位的功能。状态控制部相应处理器内核所执行的多个任务根据数据保持电路所保持的数据而改写触发器所具有的数据。

公开(公告)号：CN116171484A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180064527.9

申请日：2021-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  国武宽司 ,  大嶋和晃 ,  太田将志 ,  古谷一马 ,  青木健

IPC: H01L21/316

Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。

公开(公告)号：CN114568037A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202080070194.6

申请日：2020-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大嶋和晃 ,  国武宽司 ,  八窪裕人 ,  池田隆之

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03F3/60

Abstract: 在布线层中形成放大器。在半导体装置中，在第一层上隔着金属氧化物包括第二层。第一层包括具有包含硅的第一半导体层的第一晶体管。第二层包括阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括具有包含镓的第二半导体层的第二晶体管。在第一晶体管与金属氧化物之间形成第一耦合电容，在阻抗匹配电路与金属氧化物之间形成第二耦合电容。阻抗匹配电路通过第二耦合电容与金属氧化物电连接。金属氧化物抑制从阻抗匹配电路发射的第一辐射噪声影响到第一晶体管的工作。

公开(公告)号：CN113767479A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080032977.5

申请日：2020-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  大嶋和晃 ,  津田一树 ,  热海知昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H03K3/03

Abstract: 提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。