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公开(公告)号：CN120019435A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071577.9
申请日：2023-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C11/4096 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00 , H10D30/69 , H10D30/68 , H10D30/67 , H10D84/83 , H10D84/03 , H10D30/01
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：包括位线驱动电路的第一元件层；包括第一开关电路、第一存储单元以及设置在第一开关电路与第一存储单元之间的第一布线的第二元件层；包括第二开关电路、第二存储单元及设置在第二开关电路与第二存储单元之间的第二布线的第三元件层。第一开关电路具有在第二存储单元的数据写入工作或读出工作中使第一布线与第三布线间为非导通状态的功能。第二开关电路具有在第一存储单元的数据写入工作状态或读出工作状态时使第二布线与第三布线间为非导通状态的功能。
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公开(公告)号：CN113646839A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080025962.6
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/06 , G11C11/4091 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层。第一晶体管层及第二晶体管层设置在硅衬底上。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管层包括其栅极与第一局部位线电连接的第二晶体管及与第二晶体管电连接的第一校正电路。第一校正电路与第一全局位线电连接。第一校正电路具有使第二晶体管的栅极保持对应于第二晶体管的阈值电压的电压的功能。
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公开(公告)号：CN117337455A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280035771.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种包括显示像素电路及摄像像素电路的半导体装置。本发明是一种包括第一、第二电路的半导体装置，第一电路包括发光器件，第二电路包括受光器件、第一至第五晶体管及第一电容器。受光器件包括第一、第二端子，发光器件包括第三、第四端子。第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子电连接，第二晶体管的栅极与第三晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一电容器的第二端子与第四晶体管的第一端子及第五晶体管的第一端子电连接。第五晶体管的第二端子与受光器件的第一端子电连接，受光器件的第二端子与发光器件的第三端子电连接，发光器件的第四端子与布线电连接。
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公开(公告)号：CN116210113A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180057666.9
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052
Abstract: 提供一种通过从到达充电站之前高效地进行二次电池的温度控制而可以进行高速充电的二次电池的控制系统。本发明的一个方式涉及一种包括第一二次电池、第二二次电池、第一温度控制部、二次电池监视部及运算部的车辆。二次电池监视部取得上述第一二次电池的剩余量数据。上述运算部比较上述剩余量数据与设定值。在上述剩余量数据小于上述设定值的情况下，上述二次电池监视部取得上述第一二次电池的温度。上述运算部算出将上述第一二次电池的温度调节为设定温度为止的调节期间。上述运算部算出到达被设定的充电站为止的到达期间。在上述调节期间为上述到达期间以下的情况下，上述第一温度控制部通过来自上述第二二次电池的供电而开始将上述第一二次电池的温度调节为上述设定温度，由此控制二次电池。
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公开(公告)号：CN119451084A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410952407.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供一种新颖结构的存储装置。第一晶体管包括第一氧化物半导体层、第一至第四导电层及第一、第二绝缘层。第二晶体管包括第二氧化物半导体层、第一、第五、第六、第七导电层及第三、第四绝缘层。第一氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第一绝缘层与第一导电层相对的区域及隔着第二绝缘层与第二导电层相对的区域。第二氧化物半导体层在从平面看时具有隔着第三绝缘层与第五导电层相对的区域及隔着第四绝缘层与第六导电层相对的区域。第一氧化物半导体层以与第三、第四导电层接触的方式设置。第二氧化物半导体层以与第一、第七导电层接触的方式设置。第三导电层在从截面看时具有与第一、第二、第四、第五、第六及第七导电层重叠的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119446228A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410997544.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。包括两个垂直晶体管的多个存储单元串联连接。两个晶体管中的一方被用作用来写入信息的晶体管，另一个被用作用来读出写入到存储单元中的信息的晶体管。写入到存储单元中的信息保持在读出用晶体管的栅极。作为写入用晶体管使用关态电流小的晶体管。
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公开(公告)号：CN114568037A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202080070194.6
申请日：2020-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/088 , H03F3/60
Abstract: 在布线层中形成放大器。在半导体装置中，在第一层上隔着金属氧化物包括第二层。第一层包括具有包含硅的第一半导体层的第一晶体管。第二层包括阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括具有包含镓的第二半导体层的第二晶体管。在第一晶体管与金属氧化物之间形成第一耦合电容，在阻抗匹配电路与金属氧化物之间形成第二耦合电容。阻抗匹配电路通过第二耦合电容与金属氧化物电连接。金属氧化物抑制从阻抗匹配电路发射的第一辐射噪声影响到第一晶体管的工作。
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公开(公告)号：CN113748463A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080032247.5
申请日：2020-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/12 , G11C11/4094 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有将硅衬底用于沟道的第一晶体管的第一控制电路、设置在第一控制电路上且具有将金属氧化物用于沟道的第二晶体管的第二控制电路、设置在第二控制电路上且具有将金属氧化物用于沟道的第三晶体管的存储电路、以及具有传送第一控制电路与第二控制电路间的信号的功能的全局位线及反转全局位线。第一控制电路包括具有输入端子及反转输入端子的读出放大器电路。在从存储电路向第一控制电路读出数据的第一期间，第二控制电路控制是否根据从存储电路读出的数据对电荷被释放的全局位线及反转全局位线进行充电。
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公开(公告)号：CN112868182A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068309.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03M1/12 , H01L29/786 , H03K17/00
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括传感器、被输入传感器的传感器信号的放大器电路、被输入放大器的输出信号并保持对应于该输出信号的电压的采样保持电路、被输入对应于电压的采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路、以及接口电路。接口电路具有切换将传感器信号输入到放大器电路且将放大器电路的输出信号保持在采样保持电路中的第一控制期间和向接口电路输出将保持在采样保持电路中的电压输出到模拟数字转换电路而得到的数字信号的第二控制期间而进行控制的功能。模拟数字转换电路在第一控制期间被切换以停止数字信号的输出。第一控制期间长于第二控制期间。
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公开(公告)号：CN112041776A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980007719.9
申请日：2019-01-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G05F1/56 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03F3/34
Abstract: 提供一种能够适当地改变驱动能力的半导体装置。半导体装置(100A)包括第一至第三电路(102、103、101)及第一保持电路(SH2)，第一保持电路(SH2)包括第一保持部(节点ND2)并保持第一电位。第一电路(102)具有使第一保持部(节点ND2)的第一电位变为第二电位的功能，第二电路(103)具有根据该第一保持部(节点ND2)的第一电位或第二电位生成偏置电流的功能。第三电路(101)包括第一至第三端子(TLa4、TLa1、TLa2)并具有如下功能：当偏置电流被供应到第一端子(TLa4)时，根据对第二端子(TLa1)的输入电位生成第三电位，并从第三端子(TLa2)输出第三电位。因此，使用第一电路(102)增减第二电路(103)所生成的偏置电流的量。
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