公开(公告)号：CN118800287A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410126078.1

申请日：2024-01-30

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： T·索里曼 ,  T·基尔希纳

IPC分类号： G11C11/402 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/22

摘要： 借助于具有至少两个场效应晶体管、例如铁电场效应晶体管的处理设备来处理输入变量的方法，其中所述至少两个场效应晶体管的负载路径各自连接到第一电路节点，其中该方法包括：将第一操控信号加载到第一场效应晶体管的栅极电极，其中所述第一操控信号表征与第一场效应晶体管相关联的第一输入变量；将第二操控信号加载到第二场效应晶体管的栅极电极，其中所述第二操控信号表征与第二场效应晶体管相关联的第一输入变量，其中所述第一操控信号和/或第二操控信号中的至少一个至少暂时具有非恒定幅度。

公开(公告)号：CN118796092A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311335500.6

申请日：2023-10-16

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 宋永旭

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C11/406 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4078 ,  G11C11/4096

摘要： 本公开涉及一种存储器控制器、存储器系统以及存储器系统的操作方法。该存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储体，每个存储体包括多行并被配置为基于目标地址在多个存储体中的选定存储体内从多行中选择至少一行；以及行锤击追踪模块，被配置为基于多个存储体中的每一个的访问模式来选择选定存储体，并且根据选定存储体内的多组行中的每一组的访问次数来选择目标地址。

公开(公告)号：CN118737211A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310372877.2

申请日：2023-03-30

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 梁星 ,  支选开

IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/408

摘要： 本申请提供了一种电源电压产生电路、存储器、电子设备，涉及集成电路技术领域，可提高电荷泵输出的电源电压值的准确性。电源电压产生电路包括电荷泵、电荷泵检测电路和振荡器，电荷泵检测电路包括第一采样电路、第二采样电路和至少一个反相器对，第一采样电路被配置为接收第一参考电压信号和电荷泵输出的电源电压信号，生成第一采样电流信号。第二采样电路被配置为接收第二参考电压信号，生成第二采样电流信号。反相器对被配置为根据第一采样电流信号和第二采样电流信号，输出控制信号。振荡器被配置为根据控制信号产生时钟信号，以控制电荷泵生成电源电压信号。电源电压产生电路作为存储阵列的外围电路，可为数据的读取/写入操作供电。

公开(公告)号：CN118645135A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410775335.4

申请日：2024-06-14

申请人： 杭州知存算力科技有限公司

发明人： 王绍迪

IPC分类号： G11C11/4063 ,  G11C11/4096 ,  G06F17/16

摘要： 提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的栅极端子连接到第二晶体管的第一端子，并且，每个存储器单元被配置为存储对应于该存储器单元的权重，其中，同一行中的存储器单元中的第一晶体管的第一端子连接到对应于该行的行输出端，并且同一列中的存储器单元中的第一晶体管的第二端子连接到对应于该列的列输入端；以及多个转换电路，包括对应于多个列的多个输入转换电路。

公开(公告)号：CN116547754B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202180081917.7

申请日：2021-11-18

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 晶昌镐 ,  A·B·帕勒拉 ,  郑春明

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C11/419 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4091 ,  G11C7/22 ,  G11C7/10

摘要： 提供了一种存储器，该存储器被配置为实施正常读取操作并且还实施突发模式读取操作。列多路复用器使用针对每个列的一对传输晶体管，从多个列中进行选择。列多路复用器驱动输出数据锁存器的真实输入节点和补码输入节点。

公开(公告)号：CN118538261A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410189966.8

申请日：2024-02-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 阿尼尔·卡瓦拉 ,  曹永慜 ,  朴廷埈 ,  尹治元

IPC分类号： G11C11/4096 ,  G06F3/06

摘要： 一种存储系统包括：存储器件，具有多个非易失性存储器；缓冲芯片，与多个非易失性存储器中的每个非易失性存储器连接；以及存储控制器，与缓冲芯片连接并且被配置为向缓冲芯片提供数据选通信号和数据信号。缓冲芯片包括：第一回路，耦接到采样器电路，并且被配置为对数据选通信号执行第一监测并基于第一监测对数据选通信号执行第一占空比校正；以及第二回路，耦接到复用器，并且被配置为响应于第一占空比校正而对数据选通信号执行第二监测并基于第二监测对数据选通信号执行第二占空比校正。缓冲芯片被配置为存储用于多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的第一占空比校正信息和第二占空比校正信息。

公开(公告)号：CN116569259B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202180080604.X

申请日：2021-10-25

申请人： 美光科技公司

发明人： D·维梅尔卡蒂

IPC分类号： G11C11/4091 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4096

摘要： 本公开描述存储器单元，其包含可通过补偿影响存储器单元的非所要本征电荷来存储及感测三种相异存储器状态的两个参考电压。尽管本文中描述的实施例参考三种存储器状态，但应了解，在其它实施例中，存储器单元可使用所描述方法及技术存储或感测多于三种电荷分布。在第一存储器状态中，编程电压或感测电压可高于第一参考电压及第二参考电压。在第二存储器状态中，外加电压或感测电压可在第一参考电压与第二参考电压之间。在第三存储器状态中，外加电压或感测电压可低于第一参考电压及第二参考电压。因而，存储器单元可存储及检索三种存储器状态。

公开(公告)号：CN118451504A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202380015640.7

申请日：2023-06-22

申请人： 超威半导体公司

发明人： 亚伦·D·威利 ,  卡西克·戈帕拉克里希南

IPC分类号： G11C11/4096 ,  G06F3/06 ,  G11C11/4076 ,  G11C29/52

摘要： 本发明公开了一种存储器，其包括具有伪随机位序列(PRBS)发生器和突发错误检测计数器的链路训练电路。该突发错误检测计数器包括比较器、耦接到该数据输入的第一输入端、耦接到该PRBS发生器的第二输入端，以及可操作以响应于在包括预定数量的符号的符号序列中检测到大于零的任何数量的错误而使错误计数值增加一的计数器。

公开(公告)号：CN118402001A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280081248.8

申请日：2022-11-30

申请人： 超威半导体公司

发明人： 亚伦·约翰·尼格伦 ,  卡西克·戈帕拉克里希南 ,  刘俊豪

IPC分类号： G11C11/4076 ,  G11C11/4096 ,  G06F3/06

摘要： 一种存储器控制器监测被选择以用于分派给存储器的存储器命令并且发送控制读时钟状态的命令。存储器包括读时钟电路和模式寄存器。该读时钟电路具有用于响应于时钟信号和读时钟模式信号而提供混合读时钟信号的输出。该模式寄存器响应于读时钟模式而提供读时钟模式信号，其中该读时钟电路提供该混合读时钟信号作为当读时钟模式是第一模式时连续切换的自激时钟信号，以及作为当读时钟模式是第二模式时仅响应于存储器接收读取命令而为活动的选通信号。

公开(公告)号：CN112712842B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201911021588.8

申请日：2019-10-25

申请人： 长鑫存储技术(上海)有限公司

发明人： 张良

IPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/4093

摘要： 本申请实施例至少提供一种读操作电路，包括：数据判断模块，用于从存储块中读出读取数据，并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据；数据接收模块，用于根据翻转标识数据，确定是否翻转全局总线数据，以输出缓存数据；并串转换电路，用于对缓存数据进行并串转换，以生成DQ端口的输出数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号以及当前读取数据确定全局总线的初始态。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。