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公开(公告)号：CN112868154A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980069247.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的结构的电池保护电路及具有该电池保护电路的蓄电装置。电池保护电路包括用来控制电池单元的充放电的开关电路，开关电路包括机械继电器、第一晶体管及第二晶体管，开关电路具有控制第一端子与第二端子之间的电连接的功能，机械继电器具有遮断第一端子与第二端子之间的电连接的功能，第一晶体管具有使第一电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第二晶体管具有使第二电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第一电流比第二电流大。
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公开(公告)号：CN118402105A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083138.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/70 , H01G11/78 , H01G11/86 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/66 , H01M50/105
Abstract: 由于充电或放电时的弯曲导致正极或负极的相对错位，由此导致分布不均匀和电位偏差。作为负极不使用石墨而使用锂金属膜。通过蒸镀法或溅射法在负极集流体的一个面上沉积锂金属膜并以两个负极集流体的没有进行沉积的面彼此接触的方式构成叠层体。
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公开(公告)号：CN113748463A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080032247.5
申请日：2020-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/12 , G11C11/4094 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有将硅衬底用于沟道的第一晶体管的第一控制电路、设置在第一控制电路上且具有将金属氧化物用于沟道的第二晶体管的第二控制电路、设置在第二控制电路上且具有将金属氧化物用于沟道的第三晶体管的存储电路、以及具有传送第一控制电路与第二控制电路间的信号的功能的全局位线及反转全局位线。第一控制电路包括具有输入端子及反转输入端子的读出放大器电路。在从存储电路向第一控制电路读出数据的第一期间，第二控制电路控制是否根据从存储电路读出的数据对电荷被释放的全局位线及反转全局位线进行充电。
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公开(公告)号：CN112868182A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068309.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03M1/12 , H01L29/786 , H03K17/00
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括传感器、被输入传感器的传感器信号的放大器电路、被输入放大器的输出信号并保持对应于该输出信号的电压的采样保持电路、被输入对应于电压的采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路、以及接口电路。接口电路具有切换将传感器信号输入到放大器电路且将放大器电路的输出信号保持在采样保持电路中的第一控制期间和向接口电路输出将保持在采样保持电路中的电压输出到模拟数字转换电路而得到的数字信号的第二控制期间而进行控制的功能。模拟数字转换电路在第一控制期间被切换以停止数字信号的输出。第一控制期间长于第二控制期间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118251797A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280072752.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M50/531 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/74 , H01G11/78 , H01G11/82 , H01M4/02 , H01M4/13 , H01M10/04 , H01M10/0585 , H01M50/105 , H01M50/247 , H01M50/463 , H01M50/547 , H01M50/55 , H01M10/052 , H01M10/0566
Abstract: 提供一种能够抑制正极导线连接部或负极导线连接部的劣化的柔性二次电池。该二次电池具有如下结构：正极导线以贯穿设置在第一隔离体中的一个开口部、设置在第一负极中的开口部及设置在第二隔离体中的一个开口部的内侧的方式与第一正极所包括的正极集流体露出部及第二正极所包括的正极集流体露出部连接；负极导线以贯穿设置在第一隔离体中的另一个开口部的内侧的方式与第一负极所包括的负极集流体露出部连接；以及负极导线及第一负极所包括的负极集流体露出部以贯穿设置在第二隔离体中的另一个开口部、设置在第一正极中的开口部、设置在第二正极中的开口部及设置在第三隔离体中的另一个开口部的内侧的方式与第二负极所包括的负极集流体露出部连接。
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公开(公告)号：CN118140339A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280071166.5
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/0569
Abstract: 提供一种即使在冰点下也具有良好放电特性的锂离子电池。该锂离子电池包括具有正极活性物质的正极、电解液以及具有碳材料的负极活性物质的负极，碳材料在X射线衍射(XRD)的分析中在2θ＝20°以上且24°以下、2θ＝42°以上且46.5°以下以及2θ＝78°以上且82°以下处具有峰，锂离子电池在25℃下进行恒流恒压充电(0.1C、4.5V、终止电流0.01C)之后在‑40℃下放电时的放电容量值为在25℃下放电时的放电容量值的40％以上。
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公开(公告)号：CN113646839A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080025962.6
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/06 , G11C11/4091 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层。第一晶体管层及第二晶体管层设置在硅衬底上。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管层包括其栅极与第一局部位线电连接的第二晶体管及与第二晶体管电连接的第一校正电路。第一校正电路与第一全局位线电连接。第一校正电路具有使第二晶体管的栅极保持对应于第二晶体管的阈值电压的电压的功能。
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公开(公告)号：CN113454718A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080014280.5
申请日：2020-02-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/10 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , G11C11/408
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管与第二局部位线电连接。切换电路具有选择第一局部位线或第二局部位线与放大电路电连接的功能。第一晶体管层至第三晶体管层设置在硅衬底上。第三晶体管层设置于第一晶体管层与第二晶体管层之间。
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公开(公告)号：CN113330552A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089579.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。半导体装置包括：包括第一存储单元的第一元件层；包括第二存储单元的第二元件层；以及包括驱动电路的硅衬底。第一元件层设置在硅衬底和第二元件层之间。第一存储单元包括第一晶体管及第一电容器。第二存储单元包括第二晶体管及第二电容器。第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的源极和漏极中的一个分别与用来电连接到驱动电路的布线电连接。布线接触于第一晶体管所包括的第一半导体层及第二晶体管所包括的第二半导体层，并且设置在相对于硅衬底的表面的垂直方向或大致垂直方向上。
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