公开(公告)号：CN112868154A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980069247.X

申请日：2019-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  上妻宗広 ,  松嵜隆德 ,  铃木阳夫 ,  斋藤圣矢

IPC: H02H7/18 ,  H02J7/00

Abstract: 提供一种新颖的结构的电池保护电路及具有该电池保护电路的蓄电装置。电池保护电路包括用来控制电池单元的充放电的开关电路，开关电路包括机械继电器、第一晶体管及第二晶体管，开关电路具有控制第一端子与第二端子之间的电连接的功能，机械继电器具有遮断第一端子与第二端子之间的电连接的功能，第一晶体管具有使第一电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第二晶体管具有使第二电流流过第一端子与第二端子之间的功能，第一电流比第二电流大。

公开(公告)号：CN114424339A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065554.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  安藤善范 ,  长塚修平 ,  越田树 ,  大下智 ,  方堂凉太 ,  津田一树 ,  铃木阳夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。

公开(公告)号：CN115668757A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035229.7

申请日：2021-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  宫田翔希 ,  铃木阳夫 ,  池田隆之

IPC: H03D7/14

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括混频器电路及偏置电路。混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部。此外，偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管。偏置供应部具有输出对第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极电连接。当供应偏置电压时使第一晶体管处于关闭状态，当停止偏置电压的供应时使第一晶体管处于开启状态。

公开(公告)号：CN115428167A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029174.9

申请日：2021-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八窪裕人 ,  宫田翔希 ,  铃木阳夫 ,  池田隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括电流电压转换部、电流开关部、电压电流转换部以及控制部。电流开关部包括第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管。控制部包括第三晶体管。第一晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体。第二晶体管在沟道形成区域包含氮化物半导体。第三晶体管在沟道形成区域包含硅。第一晶体管设置于第一衬底上。第二晶体管及第三晶体管设置于第二衬底上。