公开(公告)号：CN119947103A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411456435.7

申请日：2024-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫田翔希 ,  松崎隆德

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 提供一种存储容量大的半导体装置、能够实现微型化或高集成化的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置或工作速度快的半导体装置。该半导体装置在依次设置在第一导电层上的第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层及第三导电层中设置到达第一导电层的开口部，在第二导电层的开口部内，从靠近该开口部的侧壁的顺序设置第三绝缘层、第一电荷累积层、第四绝缘层、氧化物半导体层、第五绝缘层、第二电荷累积层、第六绝缘层和第四导电层，第一导电层和第三导电层分别被用作晶体管的源电极和漏电极中的一个及另一个，第四导电层被用作第一控制栅极，第二导电层被用作第二控制栅极。

公开(公告)号：CN115668757A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035229.7

申请日：2021-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八洼裕人 ,  宫田翔希 ,  铃木阳夫 ,  池田隆之

IPC: H03D7/14

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括混频器电路及偏置电路。混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部。此外，偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管。偏置供应部具有输出对第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极电连接。当供应偏置电压时使第一晶体管处于关闭状态，当停止偏置电压的供应时使第一晶体管处于开启状态。

公开(公告)号：CN115428167A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029174.9

申请日：2021-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 八窪裕人 ,  宫田翔希 ,  铃木阳夫 ,  池田隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括电流电压转换部、电流开关部、电压电流转换部以及控制部。电流开关部包括第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管。控制部包括第三晶体管。第一晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体。第二晶体管在沟道形成区域包含氮化物半导体。第三晶体管在沟道形成区域包含硅。第一晶体管设置于第一衬底上。第二晶体管及第三晶体管设置于第二衬底上。

公开(公告)号：CN115362081A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180025699.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  八窪裕人 ,  池田隆之 ,  宫田翔希 ,  门间裕史 ,  荻田香

IPC: B60L58/27 ,  H01G11/18 ,  H01M10/48 ,  H01M10/615 ,  B60L3/00 ,  B60L58/18

Abstract: 提供一种控制二次电池的温度且不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统。通过使用多种二次电池控制温度，可以实现不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统，并将该系统安装在车辆上。具体而言，当环境温度较低时，利用第一二次电池的自发热加热第二二次电池的一部分，使得第二二次电池充分被加热，然后利用被升温的第二二次电池的一部分的自发热有阶段性地加热第二二次电池的其他部分。对第二二次电池的一部或全部是否被充分加热而言，将多个温度传感器设置在第二二次电池上，使得其温度在第二二次电池的使用温度范围内即可。例如，当温度传感器利用温度检测端子(T端子)检测出二次电池的内部温度在使用温度范围外时关闭开关。