公开(公告)号：CN114424339A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065554.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  安藤善范 ,  长塚修平 ,  越田树 ,  大下智 ,  方堂凉太 ,  津田一树 ,  铃木阳夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。