公开(公告)号：CN103137495A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210504910.4

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN107123683B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710144162.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN103137495B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210504910.4

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN107123683A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710144162.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。