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公开(公告)号：CN113924657A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080041969.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。
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