公开(公告)号：CN111788696B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN201980015985.6

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 畑勇气 ,  枥林克明 ,  菅尾惇平 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10B12/00 ,  H10D30/01

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。

公开(公告)号：CN111788696A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980015985.6

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 畑勇气 ,  枥林克明 ,  菅尾惇平 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。