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公开(公告)号：CN114185216B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210029672.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/131
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN115542621A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211147382.1
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1337 , G09F9/35 , G09F9/30
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111830758B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010788172.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN106688028A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048659.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素，且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接，另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号：CN114326211B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210029583.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/36 , H10D86/40 , H10D30/67
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544436B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910839607.1
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/302 , G09F9/33 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素，且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接，另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号：CN106688028B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580048659.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素，且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接，另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号：CN114185216A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210029672.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L27/32
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN113341624A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110651156.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111830758A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010788172.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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