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公开(公告)号：CN113299671B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110265605.3
申请日：2021-03-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , G01J5/10
摘要： 本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN110487203A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618838.X
申请日：2019-07-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构，针对不同衬底材料和工艺存在的不同翘曲形变，利用对应的可补偿形变平衡方法，被校正电路和校正片之间采用DW-3低温环氧胶粘接，使用热膨胀系数比被校正电路大2±0.1倍的校正片进行校正，校正片的厚度为0.4mm—5mm，该方法实现了电路翘曲形变的校正。本发明方法原理简单、样品制备容易、易于测量并且易于分析。
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公开(公告)号：CN108807567A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810959729.X
申请日：2018-08-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/022408
摘要： 本发明公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。
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公开(公告)号：CN103310108B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310251793.X
申请日：2013-06-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G06F19/00
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面探测器盲元筛选方法。本发明用于筛选面阵红外焦平面探测器中特定形状的盲元，并对其数量、连续盲元团簇的质心、连续盲元数等信息进行统计。本发明的方法步骤包括：1，生成待筛选的特定形状的盲元矩阵，2，求解探测器原始盲元数据中的连续盲元信息，3，寻找包围连续盲元团簇的最小盲元团簇矩阵，4，求解最小盲元团簇矩阵的信息，5，循环判断连续盲元团簇矩阵中是否包含待筛选的特定形状的盲元，6，统计保存筛选结果。本发明的优点是实现了特定形状的盲元筛选的自动化，提高了盲元筛选的效率，并且本发明使用的方法计算过程简单、运算速度快。
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公开(公告)号：CN103681937B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310591022.5
申请日：2013-11-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法。在器件模拟中发现，在典型的n+-on-p平面结上进行刻蚀，形成周期性光子晶体，从而将占空比降低到0.4时，器件的量子效率能保持不变，而随着有效体积的减小，暗电流会下降70%。本发明的优点在于，该种利用光子晶体人工微结构的限光效应提高光吸收效率并降低暗电流的HgCdTe中长波红外焦平面探测器结构，在维持原有的光响应特性不变的情况下，由于暗电流的降低，而提高了器件的整体性能，同时这种周期性结构与焦平面阵列相兼容，显著降低红外焦平面探测器的读出电路的制作难度。
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公开(公告)号：CN103022246A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN102201487A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110063598.5
申请日：2011-03-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN101719505B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN101740502B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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