-
公开(公告)号：CN113594857B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110930643.6
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器，包括衬底、位于衬底上方的键合金属层，键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向排布且彼此相连的种子激光区和总线波导，总线波导的一侧设有沿激光器的长度方向排布且彼此间隔开的谐振环和过渡电极，谐振环和过渡电极之间架设有金属空气桥，并且种子激光区的端部以及总线波导的端部设有吸收边界。本发明还提供一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器的制备方法，本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹矢量涡旋激光，可以实现中空的环状远场光斑，所发射的矢量涡旋光可以分解成携带轨道角动量的左旋和右旋圆偏振光，偏振特性为角向偏振，具有稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高的优点。
-
公开(公告)号：CN113594856B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110930314.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器，包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层，所述键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向依次排布的种子激光区、渐变放大区、绝缘区、发射区，种子激光区的与渐变放大区相对的一侧设有第一吸收区，发射区的周侧设有第二吸收区；渐变放大区的宽度从种子激光区向绝缘区渐张，绝缘区的宽度从渐变放大区向发射区渐张。本发明还提供一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器的制备方法，本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹标量涡旋激光，可以实现中空的环状远场光斑，相位呈螺旋形携带轨道角动量，可以实现特定的拓扑荷数，偏振特性为线性，稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高。
-
公开(公告)号：CN119342928A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411501680.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/225
Abstract: 本发明公开了一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用背部高组分互扩散的碲镉汞材料，经离子注入形成n+区后推结退火形成雪崩探测器n‑倍增区，通过控制推结退火时间与温度，使倍增区集中在低组分区以获得最大增益与中波响应，而吸收区禁带宽度差异形成的内建电场耗尽吸收区厚度，实现通过减弱扩散电流形成高温运行中波雪崩探测器。
-
公开(公告)号：CN117091709A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311072891.7
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统，涉及数据处理技术领域。本发明可以对含多级冷屏且窗口和冷屏开孔为任意形状的杜瓦内探测器响应率测试结果进行校正，其中，对窗口面进行网格划分，计算每个窗口面网格单元对面阵红外探测器芯片中光敏元的有效立体角，以生成探测器光敏元有效立体角分布矩阵，接着，基于探测器光敏元有效立体角分布矩阵确定整个面阵红外探测器芯片中光敏元的F数分布矩阵，并采用这一F数分布矩阵校正光敏元响应率矩阵实现对焦平面响应率非均匀性的校正，具有算法实现过程简单，计算结果准确，适用范围广等优点。
-
公开(公告)号：CN116247517A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310264608.4
申请日：2023-03-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种产生径向偏振柱矢量光束的太赫兹量子级联激光器，结构从下至上依次为，衬底层，下电极层和有源区层。有源区层上有位于中心的圆形第一上电极层，围绕着第一上电极层的圆环状第二上电极层和围绕着第二上电极层的圆环状吸收边界层。所述有源区层与第一上电极层交界处结构为一阶同心圆金属掩埋光栅，第二上电极层的结构为二阶同心圆金属‑空气光栅。一阶同心圆金属掩埋光栅与二阶同心圆金属‑空气光栅的圆心重合。一阶同心圆金属掩埋光栅激射角向基模，在波导内产生各向同性的柱面波辐射；二阶同心圆金属‑空气光栅将波导内光耦合为垂直面发射的径向偏振柱矢量光束。最终本发明器件可以单片集成的获得径向偏振的柱矢量光束。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821186A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110100819.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S5/023 , H01S5/0233 , H01S5/0239 , H01S5/026 , H01S5/06
Abstract: 本发明涉及一种面发射太赫兹量子级联激光器，包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层，所述键合金属层的上方设置有引线区以及位于所述引线区之间的天线阵列，所述天线阵列为周期性脊条阵列，所述周期性脊条阵列包括若干个周期单元，每个周期单元中包含两个间隔设置且宽度不同的脊条。另外，本发明还涉及一种面发射太赫兹量子级联激光器的制备方法。本发明可以实现紧致的远场光斑，从而有利于提高激光器的高温特性以及连续波模式下的工作性能。同时，本发明并不需要任何的外腔耦合结构，提高了激光器输出信号的稳定性。
-
公开(公告)号：CN109244176A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p-n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p-n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
-
公开(公告)号：CN108922898A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
-
公开(公告)号：CN105762221B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
-
公开(公告)号：CN106449377A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611061341.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0331
Abstract: 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
134
records
(took 0.051 seconds)
