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公开(公告)号:CN118693135A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410299285.7
申请日:2024-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供减少电极之上的金属层的外观不均的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(101)具有半导体基板(1)、表面电极(2)、第1金属层(3)及第2金属层(4)。表面电极(2)包含Al。表面电极(2)设置于半导体基板(1)的表面。第1金属层(3)包含Ni。第1金属层(3)设置于表面电极(2)之上。第2金属层(4)包含Ni。第2金属层(4)设置于第1金属层(3)之上。第1金属层(3)的表面粗糙度大于第2金属层(4)的表面粗糙度。
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