公开(公告)号：CN103383944B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310154687.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在被集电极电极（18）与半导体衬底（1）夹着的区域存在有空洞区域（4）的部分和没有空洞区域的部分。在未形成有空洞区域的半导体衬底（1）的部分与集电极电极（18）之间形成有利用绝缘膜（2）、绝缘膜（20）以及绝缘膜（17）进行电隔离的浮置硅层（21）。

公开(公告)号：CN104282743A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410317578.X

申请日：2014-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在埋入式绝缘膜和衬底之间形成空洞区域而提高耐压，并具有充分的机械强度。其具有：衬底(12)；形成于该衬底上的埋入式绝缘膜(14)；形成于该埋入式绝缘膜之上的SOI层(20)；将该SOI层划分为第一SOI层(20a)和与该第一SOI层绝缘的第二SOI层(20b)的绝缘膜(22)；形成于该第一SOI层的元件(30)；以及在一端具有位于该第二SOI层正上方的焊盘(70a)，另一端与该第一SOI层相连接的电极(70)，在该第一SOI层正下方的该埋入式绝缘膜和该衬底之间具有空洞区域(18)，该第二SOI层正下方的该埋入式绝缘膜的至少一部分与该衬底直接接触。

公开(公告)号：CN102167905A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110046077.9

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社PI技术研究所 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 五岛敏之 ,  濑川繁昌 ,  M.S.温 ,  山下润一 ,  高梨健

IPC: C08L79/08 ,  C08J5/18 ,  C09D11/10 ,  C09D179/08 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G73/1042 ,  C08G73/106 ,  C08L79/08 ,  C09D179/08 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有最适于丝网印刷、分配涂布的流变学特性，与各涂布基板的润湿性提高，可以进行500次以上的连续印刷，在印刷、涂布后，干燥、固化时不会产生起泡、凹陷、针孔，可以覆盖规定部分的半导体装置用聚酰亚胺树脂组合物以及使用该聚酰亚胺树脂组合物的半导体装置中的膜形成方法和具有通过该方法形成的膜作为绝缘膜、保护膜等的半导体装置。半导体装置用聚酰亚胺树脂组合物，为在第一有机溶剂(A)和第二有机溶剂(B)的混合溶剂中含有聚酰亚胺树脂的树脂组合物，所述聚酰亚胺树脂是可溶于第一有机溶剂(A)和第二有机溶剂(B)的混合溶剂中的耐热性聚酰亚胺树脂，聚酰亚胺的重复单元中含有烷基和/或全氟烷基，具有触变性。

公开(公告)号：CN117917765A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311334031.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  山下润一 ,  田中香次 ,  寺岛知秀 ,  出尾晋一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H02P27/08 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。对半导体装置的生产成本增高进行抑制，并且实现可靠性的提高及延长寿命。半导体装置(100)具有：半导体元件(41)；上表面电极，其形成于该半导体元件(41)的上表面；以及以铜为主成分的导电性金属板(22)，其接合于半导体元件(41)的上表面电极之上。导电性金属板(22)以铜为主成分，与半导体元件(41)的上表面电极之上进行固相扩散接合。

公开(公告)号：CN110197826A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910132162.3

申请日：2019-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西康一 ,  铃木健司 ,  高桥彻雄 ,  山下润一

IPC: H01L27/082 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明提供以能够抑制向单元部的电流集中的方式进行了改善的半导体装置及其制造方法以及电力变换装置。半导体装置具备：半导体芯片、单元表面电极部以及周缘表面构造部。半导体芯片具有：单元部，其是俯视观察时的中央区域的部位，设置有晶体管元件；以及周缘部，其在俯视观察时设置于单元部的周边。单元表面电极部设置于单元部之上。周缘表面构造部设置于周缘部之上，具有比单元表面电极部的上表面高的上表面。使周缘部比单元部薄，以使得与单元部的背面相比周缘部的背面凹陷。将单元部的厚度设为tc。将背面的单元部与周缘部之间的台阶的大小设为dtb。在这种情况下，0％＜dtb/tc≤1.5％。

公开(公告)号：CN102167905B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110046077.9

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社PI技术研究所 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 五岛敏之 ,  濑川繁昌 ,  M.S.温 ,  山下润一 ,  高梨健

IPC: C08L79/08 ,  C08J5/18 ,  C09D11/102 ,  C09D179/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C08G73/1042 ,  C08G73/106 ,  C08L79/08 ,  C09D179/08 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有最适于丝网印刷、分配涂布的流变学特性，与各涂布基板的润湿性提高，可以进行500次以上的连续印刷，在印刷、涂布后，干燥、固化时不会产生起泡、凹陷、针孔，可以覆盖规定部分的半导体装置用聚酰亚胺树脂组合物以及使用该聚酰亚胺树脂组合物的半导体装置中的膜形成方法和具有通过该方法形成的膜作为绝缘膜、保护膜等的半导体装置。半导体装置用聚酰亚胺树脂组合物，为在第一有机溶剂(A)和第二有机溶剂(B)的混合溶剂中含有聚酰亚胺树脂的树脂组合物，所述聚酰亚胺树脂是可溶于第一有机溶剂(A)和第二有机溶剂(B)的混合溶剂中的耐热性聚酰亚胺树脂，聚酰亚胺的重复单元中含有烷基和/或全氟烷基，具有触变性。

公开(公告)号：CN103383944A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310154687.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在被集电极电极（18）与半导体衬底（1）夹着的区域存在有空洞区域（4）的部分和没有空洞区域的部分。在未形成有空洞区域的半导体衬底（1）的部分与集电极电极（18）之间形成有利用绝缘膜（2）、绝缘膜（20）以及绝缘膜（17）进行电隔离的浮置硅层（21）。

公开(公告)号：CN110197826B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201910132162.3

申请日：2019-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西康一 ,  铃木健司 ,  高桥彻雄 ,  山下润一

IPC: H01L27/082 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明提供以能够抑制向单元部的电流集中的方式进行了改善的半导体装置及其制造方法以及电力变换装置。半导体装置具备：半导体芯片、单元表面电极部以及周缘表面构造部。半导体芯片具有：单元部，其是俯视观察时的中央区域的部位，设置有晶体管元件；以及周缘部，其在俯视观察时设置于单元部的周边。单元表面电极部设置于单元部之上。周缘表面构造部设置于周缘部之上，具有比单元表面电极部的上表面高的上表面。使周缘部比单元部薄，以使得与单元部的背面相比周缘部的背面凹陷。将单元部的厚度设为tc。将背面的单元部与周缘部之间的台阶的大小设为dtb。在这种情况下，0％＜dtb/tc≤1.5％。

公开(公告)号：CN104282743B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201410317578.X

申请日：2014-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在埋入式绝缘膜和衬底之间形成空洞区域而提高耐压，并具有充分的机械强度。其具有：衬底(12)；形成于该衬底上的埋入式绝缘膜(14)；形成于该埋入式绝缘膜之上的SOI层(20)；将该SOI层划分为第一SOI层(20a)和与该第一SOI层绝缘的第二SOI层(20b)的绝缘膜(22)；形成于该第一SOI层的元件(30)；以及在一端具有位于该第二SOI层正上方的焊盘(70a)，另一端与该第一SOI层相连接的电极(70)，在该第一SOI层正下方的该埋入式绝缘膜和该衬底之间具有空洞区域(18)，该第二SOI层正下方的该埋入式绝缘膜的至少一部分与该衬底直接接触。

公开(公告)号：CN103296031B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210521787.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 清水和宏 ,  山下润一 ,  蔀拓一郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F9/708 ,  B81C1/00603 ,  G03F9/7084 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/764 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。