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公开(公告)号：CN116895455A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310297567.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供具有由绝缘膜绝缘的第1线圈及第2线圈、抑制了绝缘膜的变形的线圈器件及其制造方法。具有：基板，具有第1主面和与第1主面相对的第2主面；第1绝缘膜，在将从第2主面朝向第1主面的方向作为第1方向的情况下与基板在第1方向侧相接地设置；第1线圈部，与第1绝缘膜在第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；第2绝缘膜，设置为覆盖第1线圈部的第1方向侧以及未设置第1线圈部的第1绝缘膜的第1方向侧；第2线圈部，与第2绝缘膜的第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；以及第1槽，设置于第2绝缘膜，在俯视观察时在相比于第2线圈部的外周端处于内侧的区域，在第2绝缘膜的第1方向侧的面沿第1方向具有宽度。
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公开(公告)号：CN116666442A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310136192.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 得到半导体装置，其抑制工艺成本的增加，具有包含电阻性场板的高耐压构造。电阻性场板(6)以从外侧的主电极(4)逐渐接近内侧的主电极(3)的方式，在俯视观察时配置为螺旋状。多个浮置层(8)在俯视观察时以高电位区域(1)为中心朝向低电位区域(2)配置为放射状。电阻性场板(6)隔着层间绝缘膜(10)设置于多个浮置层(8)之上，因此具有反映了多个浮置层(8)各自的膜厚的浮置台阶(S8)。即，电阻性场板(6)是以沿环绕方向重复产生浮置台阶(S8)的方式设置的。
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公开(公告)号：CN109417050B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201680087142.3
申请日：2016-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 蔀拓一郎
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制氧化膜的一部分变薄的技术。在第1区域的氮化膜之上形成第3氧化膜，并且在第2区域的主面之上形成第4氧化膜。使用掩模将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜从第1区域去除。在将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第5氧化膜。使用掩模将第5氧化膜从第1区域去除。在将第5氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第6氧化膜。
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公开(公告)号：CN109417050A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680087142.3
申请日：2016-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 蔀拓一郎
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制氧化膜的一部分变薄的技术。在第1区域的氮化膜之上形成第3氧化膜，并且在第2区域的主面之上形成第4氧化膜。使用掩模将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜从第1区域去除。在将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第5氧化膜。使用掩模将第5氧化膜从第1区域去除。在将第5氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第6氧化膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106415804A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480079154.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/205
Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。
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公开(公告)号：CN106415804B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201480079154.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/205
Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。
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公开(公告)号：CN103296031B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210521787.7
申请日：2012-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/708 , B81C1/00603 , G03F9/7084 , H01L21/308 , H01L21/76256 , H01L21/764 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。
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公开(公告)号：CN104347381A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410360240.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/30604 , H01L21/31144 , H01L21/32 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L21/02238
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。
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公开(公告)号：CN103296031A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210521787.7
申请日：2012-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/708 , B81C1/00603 , G03F9/7084 , H01L21/308 , H01L21/76256 , H01L21/764 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。
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