公开(公告)号：CN106415804A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480079154.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  甲贺和久 ,  立宅聪

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205

Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。

公开(公告)号：CN106415804B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201480079154.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  甲贺和久 ,  立宅聪

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205

Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。

公开(公告)号：CN100514648C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710006351.3

申请日：2007-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 立宅聪 ,  清水和宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种在确保高耐压元件的高耐压特性的同时使高耐压元件和低耐压元件具有良好特性的半导体装置。具有高耐压元件和低耐压元件的半导体装置包含：规定了形成高耐压元件的高耐压元件区和形成低耐压元件的低耐压元件区的半导体衬底；在该高耐压元件区设置的第一LOCOS隔离结构；以及在该低耐压元件区设置的第二LOCOS隔离结构。第一LOCOS隔离结构由在该半导体衬底的表面上形成的LOCOS氧化膜和其上形成的CVD氧化膜构成，第二LOCOS隔离结构由LOCOS氧化膜构成。

公开(公告)号：CN101022109A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710006351.3

申请日：2007-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 立宅聪 ,  清水和宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种在确保高耐压元件的高耐压特性的同时使高耐压元件和低耐压元件具有良好特性的半导体装置。具有高耐压元件和低耐压元件的半导体装置包含：规定了形成高耐压元件的高耐压元件区和形成低耐压元件的低耐压元件区的半导体衬底；在该高耐压元件区设置的第一LOCOS隔离结构；以及在该低耐压元件区设置的第二LOCOS隔离结构。第一LOCOS隔离结构由在该半导体衬底的表面上形成的LOCOS氧化膜和其上形成的CVD氧化膜构成，第二LOCOS隔离结构由LOCOS氧化膜构成。