公开(公告)号：CN106415804A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480079154.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  甲贺和久 ,  立宅聪

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205

Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。

公开(公告)号：CN106415804B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201480079154.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  甲贺和久 ,  立宅聪

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/205

Abstract: 具有：元件形成工序，在衬底的表面形成元件构造，并在该衬底的背面形成背面构造；以及成膜工序，一边使用辐射温度计对该衬底的温度进行测定，一边在该元件构造的表面成膜，该辐射温度计使波长λi的红外线入射至该背面构造而得到该衬底的红外线辐射率。该背面构造具有第1层和第2层，该第1层向外部露出，该第2层与该第1层相接触，折射率小于该第1层，在将n设为正的偶数时，将该成膜工序中的该第1层的层厚设为从(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范围。