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发明公开
一种定点掺杂单个原子或少数几个原子的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118800648A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310389663.6

申请日：2023-04-12

申请人： 上海交通大学

发明人： 但亚平 , 樊正方 , 刘雨萌

IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/205 , H01L21/324 , C23C16/455 , B82Y40/00 , H01L21/268

摘要： 本发明提出了一种定点掺杂单个原子或少数几个原子的方法，包括如下步骤：步骤a：通过原子层沉积工艺在样品表面形成若干个原子层厚度的掩膜层以阻挡后续掺杂源向基底扩散；步骤b：对所述样品用离子注入机在所需位置进行单离子注入，注入的离子会在所述掩膜层产生缺陷或通道；步骤c：通过原子层沉积工艺在所述掩膜层表面形成含有掺杂剂的纳米或原子级厚度的掺杂原子层作为掺杂源；步骤d：通过原子层沉积工艺在所述掺杂原子层上形成纳米级厚度的介质保护层；以及步骤e：对所述经过离子注入后的样品进行脉冲激光或闪光退火以使所述掺杂原子层的原子沿着所述缺陷或通道进入所述样品的基底中，从而在所述样品的基底中定点掺杂单个或少数几个原子。