一种RC-IGBT的背面制备方法

Invention Grant

Please log in to see more content

Patent Title: 一种RC-IGBT的背面制备方法
Application No.: CN201711408753.6

Application Date: 2017-12-22
Publication No.: CN107946243B

Publication Date: 2024-11-15
Inventor: 戚丽娜 , 张景超 , 俞义长 , 井亚会 , 林茂 , 朱洪杰 , 刘利峰 , 赵善麒
Applicant: 江苏宏微科技股份有限公司
Applicant Address: 江苏省常州市新北区华山中路18号
Assignee: 江苏宏微科技股份有限公司
Current Assignee: 江苏宏微科技股份有限公司
Current Assignee Address: 江苏省常州市新北区华山中路18号
Agency: 北京华际知识产权代理有限公司
Agent 杨觅
Main IPC: H01L21/8222
IPC: H01L21/8222 ; H01L21/266

Abstract:

本发明提供一种RC‑IGBT的背面制备方法，包括NFS背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback现象的作用，两层光刻版，第一层用于阻挡N+注入，未阻挡部分开口尺寸L1，第二层用于阻挡P+注入，阻挡部分开口尺寸L2，L1>L2，通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF，IGBT压降及snapback曲线，本发明结构简单，通过增加一次背面光刻注入工艺，背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合，即可实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback现象的作用，增加了设计的灵活度。

Public/Granted literature

CN107946243A 一种RC-IGBT的背面设计 Public/Granted day:2018-04-20

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8222	......双极工艺