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    太阳能电池及其制备方法
    1.
    发明公开
    太阳能电池及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118841470A

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN202411204726.7

    申请日：2024-08-29

    申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  扬州阿特斯太阳能电池有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  邓伟伟 ,  刘楦

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    摘要： 一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括位于硅衬底背面的P型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，其特征在于，所述间隔区自硅衬底的背面向正面凹陷设置，且所述间隔区朝向所述硅衬底的表面为平面。本发明的太阳能电池，位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区的表面为平面，该区域的钝化效果好，在其他结构不变的前提下，可以将电池效率提高0.1％～0.2％。

    太阳能电池
    2.
    发明公开
    太阳能电池 审中-公开

    公开(公告)号：CN118919596A

    公开(公告)日：2024-11-08

    申请号：CN202411205043.3

    申请日：2024-08-29

    申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  扬州阿特斯太阳能电池有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  邓伟伟 ,  叶晓亚

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    摘要： 一种太阳能电池，位于硅衬底背面的P型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，沿硅衬底的正面向背面的方向上，所述P型掺杂结构高于所述N型掺杂结构。本发明的太阳能电池，通过P型掺杂结构高于N型掺杂结构，一方面增大了整个背面的表面积，扩大了受光面积；另一方面，P型掺杂结构的背面、侧面均向外暴露，增加了P型掺杂结构的吸光面积，能够产生并成功收集到更多的载流子，提高电池效率。

    太阳能电池
    5.
    发明公开
    太阳能电池 审中-公开

    公开(公告)号：CN118888610A

    公开(公告)日：2024-11-01

    申请号：CN202411204287.X

    申请日：2024-08-29

    申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  扬州阿特斯太阳能电池有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  邓伟伟 ,  来俊男

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    摘要： 一种太阳能电池，包括位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于硅衬底背面的N型掺杂结构、位于所述P型掺杂结构和所述N型掺杂结构之间的间隔区、位于所述P型掺杂结构背面的第一电极、位于所述N型掺杂结构背面的第二电极，所述间隔区的表面具有钝化膜层，所述钝化膜层包括与硅衬底接触的第一电荷膜层、位于所述第一电荷膜层背离硅衬底的一侧的第二电荷膜层，第一电荷膜层与硅衬底的电荷类型一致，且第一电荷膜层和第二电荷膜层的带电类型相反。本发明优化了间隔区表面的钝化膜层，用相同电荷的膜层进行界面钝化，在用相反电荷的膜层进行场钝化，可以提高整个钝化膜层的钝化效果。

    太阳能电池
    8.
    实用新型
    太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN221508208U

    公开(公告)日：2024-08-09

    申请号：CN202421572028.8

    申请日：2024-07-04

    申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 ,  扬州阿特斯太阳能电池有限公司 ,  扬州阿特斯光电材料有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  邓伟伟

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    摘要： 一种太阳能电池，包括：硅衬底，其正面栅线区为光面结构，正面非栅线区为绒面结构；正面结构，包括位于正面栅线区的正面隧穿层、正面掺杂层、位于整个正面的正面钝化层和正面减反层、正面电极，所述正面电极穿过所述正面减反层、正面钝化层与所述正面掺杂层接触；背面结构，包括背面隧穿层、背面掺杂层、背面钝化层、背面减反层、背面电极，所述背面电极穿过所述背面减反层、背面钝化层与所述背面掺杂层接触。本实用新型中，正面栅线区为光面结构，有利于开槽，为采用电镀和/或化学镀形成电极提供了保障；同时正面非栅线区为绒面结构，降低了正面的光线反射率，提高了电池效率。

    太阳能电池
    9.
    发明公开
    太阳能电池 审中-实审

    公开(公告)号：CN118841471A

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN202411209958.1

    申请日：2024-08-29

    申请人： 扬州阿特斯太阳能电池有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  王春雁 ,  邓伟伟

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    摘要： 一种太阳能电池，包括：间隔设置的若干第一掺杂结构，所述第一掺杂结构为由掺杂源自硅衬底背面向内扩散形成的扩散区；与所述第一掺杂结构交替设置的第二掺杂结构，所述第二掺杂结构位于自硅衬底的背面向正面凹陷设置的区域，所述第二掺杂结构为遂穿钝化接触结构，所述遂穿钝化接触结构与扩散区的掺杂类型相反；间隔区，位于所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构之间；第一电极，位于所述第一掺杂结构的背面；第二电极，位于所述遂穿钝化接触结构的背面。本发明通过对第一掺杂结构、第二掺杂结构的优化，可以先扩散形成第一掺杂结构，再去除部分区域的扩散结，然后沉积遂穿钝化接触结构，与TOPCon电池的工艺流程兼容性高，适合产业化推进。

    太阳能电池制备方法
    10.
    发明公开
    太阳能电池制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118231514A

    公开(公告)日：2024-06-21

    申请号：CN202211635207.7

    申请日：2022-12-19

    申请人： 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 ,  苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

    发明人： 陈海燕 ,  蒋方丹 ,  邓伟伟

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352

    摘要： 本发明提供一种太阳能电池制备方法，包括如下步骤：选用N型硅片，在其正面制绒；在制绒后的硅片正面形成选择性发射极，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差；在所述重掺杂区的正面形成正面金属电极。该方法中，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE提效效果好。