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公开(公告)号：CN118899363A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410845987.0
申请日：2024-06-27
申请人： 宁波大学 , 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/102 , H01L27/144 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括：在SiO2基板上旋涂光刻胶；采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列；采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上；去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积；使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜；对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板；对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
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公开(公告)号：CN117888183B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410295451.6
申请日：2024-03-15
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 胡开朋
摘要： 本发明公开了一种结合提拉法和导模法的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明结合提拉法和导模法，在放肩期间晶体在熔体内自由放肩，放肩完成后晶体与模具接触实现等径生长。放肩过程中晶体直接接触的是熔体，不会存在熔体与模具温度不同而导致的放肩困难问题，等径过程中晶体直接在模具上生长，模具对晶体有边缘限定作用，晶体不会出现扭曲，形状不规则问题，且熔体在模具的毛细缝隙内对流效应弱，分凝作用减小，使得晶体等径不分杂质浓度相对稳定，电阻率及载流子浓度参数一致性好，晶体合格率高。解决了提拉法晶体生长过程中晶体杂质分布不均匀，晶体扭曲，晶体形状不稳定，以及导模法晶体生长时晶体放肩困难的技术问题。
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公开(公告)号：CN117626437A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311673604.8
申请日：2023-12-07
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种磷化铟多晶的合成方法，涉及半导体材料制备技术领域，磷化铟多晶的合成过程在加长的石英管中进行，为避免合成过程中石英管发生断裂，对石英舟的尺寸、石英舟上铟的质量及合成过程的工艺条件进行相应调整。通过采用上述技术方案，有效避免合成过程中石英管发生断裂，并提升了单次合成磷化铟多晶的产率。
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公开(公告)号：CN114141909B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202111423249.X
申请日：2021-11-26
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/09 , C23C16/40
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法及基于该薄膜的紫外光探测器的制备方法。在蓝宝石衬底生长不同晶向氧化镓薄膜的方法，包括：利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上，在不同温度条件下，外延生长不同晶向的Ga2O3薄膜；上述技术方案原料易得，薄膜制备简单，晶格间结合紧密，匹配度高，外延层不易脱落；本申请还提出了基于上述薄膜的紫外光探测器的制备方法，包括：采用光刻的叉指电极掩膜板制备光敏遮挡层，利用磁控溅射的技术在Ga2O3薄膜表面分别溅射Ti/Au叉指金属电极作为电极的S端和D端，获得紫外光探测器；上述技术方案制备的紫外光电探测器响应度高，响度速度快，暗电流小。
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公开(公告)号：CN112394073B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010997737.0
申请日：2020-09-21
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： G01N23/20008 , G01N23/20025 , G01N23/20016 , G01N1/28
摘要： 本申请涉及氧化镓单晶加工的技术领域，具体公开了一种快速准确测定氧化镓单晶晶轴取向的方法，方法包括以下步骤：S1、初步判断(010)晶面方向；S2、切割初始(010)晶面得S2.1氧化镓晶片；S3、X射线衍射仪测定初始(010)晶面偏角；S4、精确切割(010）晶面，得S4.1氧化镓晶片；S5、解理法确定S2.1氧化镓晶片的(100)和(001)晶面；S6、根据S2.1氧化镓晶片的(100)和(001)晶面的迹线，确定[010]晶轴方向；S7、利用X射线定向仪确定S2.1氧化镓晶片的[001]和[100]晶轴的方向。本申请的方法具有快速准确地测定未知任何晶体方向的氧化镓晶轴取向的优点。
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公开(公告)号：CN115044962A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210828833.1
申请日：2022-07-13
申请人： 北京铭镓半导体有限公司 , 河南铭镓半导体有限公司
摘要： 本发明涉及彩色宝石晶体生长技术领域，且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，包括坩埚、钼坩埚盖、折边、坩埚盖孔、连接板和卡边，所述钼坩埚盖固定安装在坩埚的上端，所述折边固定安装在钼坩埚盖下端的前后两端，所述坩埚盖孔固定设置在钼坩埚盖上端的左右两侧，所述连接板固定安装在坩埚的内端，所述卡边固定安装在坩埚上端的外侧。该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚盖，在坩埚的上方增加了钼坩埚盖，方法简易便于操作，实施成本较低，杂质不易掉落在坩埚内，不易造成晶体内部气泡及出现晶界等缺陷，有效的提高了良率，且可不断重复此操作，有着较高的经济效益，工作实施便捷可控，也能解决晶体品质问题，带来了较大的经济效益。
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公开(公告)号：CN114108088A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437474.9
申请日：2021-11-26
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请涉及宽禁带半导体结晶技术领域，具体公开了一种β‑氧化镓晶体及其生长方法与应用，一种β‑氧化镓晶体的生长方法，包括以下操作步骤：（1）于0.4‑0.6MPa惰性气体下，加热氧化镓原料，熔融；（2）下降籽晶，熔接；提拉籽晶，开始引晶；（3）引晶后，继续提拉籽晶，同时升举坩埚，坩埚的上升速率小于籽晶的提拉速率，使晶体自发放肩；放肩后，停止升举坩埚，降温，使晶体等径生长；脱模，停止提拉籽晶，冷却至23℃，即得β‑氧化镓晶体。本申请β‑氧化镓晶体的位错密度最低为0.98x104条/cm2，摇摆曲线半峰宽可达43弧秒，提高了β‑氧化镓晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN118241301A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410359979.5
申请日：2024-03-27
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 胡开朋
摘要： 本申请涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种制备异形半导体晶体的装置和方法。本装置包括容器、加热件、两个半圆柱模具、两个方块模具、支撑件和驱动件。两个半圆柱模具相互间隔、对称的固定于容器之中；两个方块模具相互间隔、对称的设置在两个半圆柱模具之间。两个方块模具之间形成毛细狭缝。驱动件驱动容器，得到两个方块模具凸出两个半圆柱模具的第一状态，以及两个方块模具平齐两个半圆柱模具的第二状态。加热容器中的晶体，熔浆顺着毛细狭缝上升，先铺满两个方块模具上表面，使用籽晶引导浆液向上生长，装置在第一状态时可以生长出方块形的晶胚，第二状态时可以生长出圆柱形的晶胚，得到上部为方形、下部为圆柱形的异形半导体晶体。
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公开(公告)号：CN117904707B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410295450.1
申请日：2024-03-15
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 胡开朋
摘要： 本发明公开了一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明预先在坩埚内模具的正上方设置原料储存装置，并且在装置内放置与坩埚内部同比例的氧化镓原料和掺杂剂原料。在晶体放肩生长过程中，打开装置阀门，装置内的原料通过原料通道向下飘落到氧化镓晶体肩部，原料在晶体肩部团聚并吸附在肩部上，在肩部吸附的原料增加晶体细颈和肩部的保温，未在肩部吸附的原料降落至坩埚内熔化为熔体。从而增加了细颈与肩部的保温，减小晶体中间与晶体两侧的散热速率差，避免因散热速率不同而产生的热应力，使得晶体中间和晶体两侧间不再产生解离或栾晶等缺陷。从而，有效解决了氧化镓晶体生长过程中存在解离和栾晶的技术问题。
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公开(公告)号：CN117626436A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311673603.3
申请日：2023-12-07
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺，涉及化合物半导体材料制备技术领域。本申请提出的磷化铟多晶的合成工艺借助于双石英舟实现，并通过对双石英舟的上下石英舟的尺寸、放置在石英舟上的铟的质量以及合成过程的工艺条件进行控制，提升了磷化铟多晶的生产效率，实现了磷化铟多晶的高效合成。
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