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公开(公告)号：CN117626437A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311673604.8
申请日：2023-12-07
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种磷化铟多晶的合成方法，涉及半导体材料制备技术领域，磷化铟多晶的合成过程在加长的石英管中进行，为避免合成过程中石英管发生断裂，对石英舟的尺寸、石英舟上铟的质量及合成过程的工艺条件进行相应调整。通过采用上述技术方案，有效避免合成过程中石英管发生断裂，并提升了单次合成磷化铟多晶的产率。
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公开(公告)号：CN117626436A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311673603.3
申请日：2023-12-07
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺，涉及化合物半导体材料制备技术领域。本申请提出的磷化铟多晶的合成工艺借助于双石英舟实现，并通过对双石英舟的上下石英舟的尺寸、放置在石英舟上的铟的质量以及合成过程的工艺条件进行控制，提升了磷化铟多晶的生产效率，实现了磷化铟多晶的高效合成。
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公开(公告)号：CN118241312A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410359984.6
申请日：2024-03-27
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 乔印彬
摘要： 本申请涉及磷化铟晶体废料再利用技术领域，具体涉及一种磷化铟晶体废料再利用的工艺及设备。该工艺包括：将磷化铟晶体废料加工成粉末态，和红磷分别放入容器不同位置；抽除容器之中的空气并封闭容器；将磷化铟晶体废料所处的位置加热到800‑1000℃，加热红磷所处的位置使得红磷升华，使得容器内的气压大于磷化铟的离解压，保持4‑5h；将磷化铟晶体废料所处的位置加热到1070‑1300℃使得磷化铟晶体废料完全熔化；降温得到重新结晶的磷化铟晶体。粉末态的磷化铟，粉末之间充满孔隙，气态的红磷容易渗入孔隙之中，和单质铟的接触更为充分，将单质铟转化为磷化铟的转化率较高。
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公开(公告)号：CN118087025A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410058436.X
申请日：2024-01-15
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 乔印彬
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/16 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/02 , C30B15/32 , C30B15/14 , C30B27/02
摘要： 本发明公开了一种氧化镓单晶棒的生长设备及方法，生长设备包括：压力机构、加热机构、氧化镓熔体出料机构、升降和旋转机构、籽晶安装机构。压力机构具有压力腔，压力机构用于对压力腔中的压力进行控制。加热机构设置在压力腔中，加热机构用于对压力腔中的温度进行控制。氧化镓熔体出料机构设置在压力腔中，氧化镓熔体出料机构用于输出氧化镓熔体，以及控制氧化镓熔体的输出量。升降和旋转机构用于控制氧化镓粉料装载机构的升降和旋转。籽晶安装机构用于供籽晶安装，以及控制籽晶与氧化镓熔体接触。本发明的设备可通过铱金坩埚的旋转和升降控制温场的均匀和生长温度梯度，大大提高了成晶率，使氧化镓单晶质量大大提高。
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公开(公告)号：CN117947496A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410057922.X
申请日：2024-01-15
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
发明人： 乔印彬
摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶的生长设备及方法，生长设备包括：磷化铟多晶料装载机构、压力机构、加热机构、升降和旋转机构。磷化铟多晶料装载机构用于装载磷化铟多晶料和籽晶。压力机构具有压力腔，压力机构用于对压力腔中的压力进行控制。加热机构具有加热腔，加热腔供磷化铟多晶料装载机构设置，加热腔具有多个温区，加热机构设置在压力腔中，加热腔与压力腔连通，加热机构用于对各个温区的温度进行控制。升降和旋转机构用于控制加热腔中的磷化铟多晶料装载机构的升降和旋转。本发明的设备及方法成晶率高、温度易于控制、操作简单、单晶质量较高，能大大的提高效率，降低成本，提高竞争力等。
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公开(公告)号：CN220727475U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202322523656.9
申请日：2023-09-15
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
IPC分类号： F16L37/086 , F16L53/70 , F16J15/10
摘要： 本申请涉及一种焊接真空石英管用连接卡头，属于焊接真空石英管的技术领域，其包括卡头和密封端盖，密封端盖与石英管可拆卸连接，卡头开设有安装端口和抽气端口，卡头内部与外界连通，卡头安装端口与密封端盖插嵌连接，安装端口处固定有密封圈，卡头内部设置有冷水管，卡头内部铰接有挡片，卡头和密封端盖通过螺栓连接，本申请具有能够降低石英管在焊接过程中传导到卡头的热量，保护密封圈不被融化的效果。
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公开(公告)号：CN219045565U
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202123360910.5
申请日：2021-12-28
申请人： 北京铭镓半导体有限公司
摘要： 本申请涉及一种高压容器热偶引线的穿墙密封装置，其属于热电偶引线密封技术领域，该穿墙密封装置用于安装在高压容器的炉壁上开设的沉头孔内，沉头孔包括朝向高压容器内部的测量口、朝向高压容器外部的安装口以及抵接面，测量口向安装口所在炉壁表面上的投影完全落入安装口内，其包括密封件和固定件；密封件与抵接面抵接，密封件与沉头孔的内壁贴合，密封件上开设有通孔，引线通过通孔贯穿密封件且与通孔的内壁贴合；固定件与密封件朝向安装口的侧壁抵接，固定件与沉头孔的内壁可拆卸连接。本申请具有便于更换热电偶的引线的效果。
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