公开(公告)号：CN118899363A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410845987.0

申请日：2024-06-27

申请人： 宁波大学 ,  北京铭镓半导体有限公司

发明人： 刘家宝 ,  王旭 ,  孟冬冬 ,  陈政委

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/102 ,  H01L27/144 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y80/00 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括：在SiO2基板上旋涂光刻胶；采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列；采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上；去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积；使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜；对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板；对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。