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公开(公告)号：CN114755273A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210527249.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/12 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯湿度传感器及其制备方法，石墨烯湿度传感器包括SiO2/Si衬底，所述SiO2/Si衬底上设置有等离子体改性的石墨烯，所述等离子体改性石墨烯两端设有平行的金属电极，所述等离子体改性石墨烯为单层或少层石墨烯。制备方法主要包括如下步骤：在所述SiO2/Si衬底上制备石墨烯；通过电子光束曝光法和金属薄膜沉积技术在石墨烯两端沉积两个平行的金属电极；通过等离子体改性调控石墨烯状态。本发明具有响应速度快、灵敏度高的优点而且有助于实现湿度传感器的小型化和集成化。
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