公开(公告)号：CN116565054A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310446432.4

申请日：2023-04-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  杜如霞 ,  王文辉 ,  倪振华 ,  顾星

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种位置调控的石墨烯‑硅异质结光致阻变器及其制备方法。属于半导体光电子器件和传感器领域，所述光致阻变器包括轻掺杂的硅衬底、石墨烯、金属电极以及给两电极提供电压的电源。本发明制备的石墨烯和硅的异质结可有效分离光生载流子，并在横向光电效应的作用下产生横向光生电动势；配合外部电源给石墨烯上两电极施加的电压可得到随位置变化的光致阻变器。本发明获得的光致阻变器件，在光照下，通过调节电压，不仅可在弱光下实现电阻随位置的线性变化，还可实现超过5个数量级电阻的突变，响应频率最高可达10kHz，且工作波长覆盖可见‑近红外波段。该器件在空间位移精密探测器、光电存储、光电逻辑操作等方向具有应用潜力。

公开(公告)号：CN117276390A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311298872.6

申请日：2023-10-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  邢珊珊 ,  杜如霞 ,  林惠文 ,  陈立立 ,  周正华

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器，包括电极结构，所述电极结构沿纵向依次包括Al背电极、Si衬底、Al2O3隧穿层、PtTe2膜和Ti/Au前电极；还包括IC底座，IC底座上固定有金接线柱，金接线柱一端通过导电银胶与Al背电极电连接，金接线柱另一端通过铝丝与Ti/Au前电极电连接。本发明还公开了上述基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器的制备方法。本发明通过在PtTe2/Si光电探测器件中引入对应厚度的Al2O3层作为隧穿层，能够有效降低暗电流，实现光电流的倍增。