公开(公告)号：CN114361275B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202111558649.1

申请日：2021-12-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  王立 ,  吴形 ,  吴识腾 ,  王震东

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。

公开(公告)号：CN114361275A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111558649.1

申请日：2021-12-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  王立 ,  吴形 ,  吴识腾 ,  王震东

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。