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公开(公告)号：CN119315098A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411414351.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/42 , H01M12/06
Abstract: 本发明提供了一种固态电解质薄膜及其制备方法与锂氧电池，固态电池技术领域。本发明提供的制备方法包括：将隔膜基体在电解质浆料内浸润后干燥固化制得固态电解质薄膜；以质量份计所述电解质浆料包括4‑14份刚性链聚合物、1‑8份柔性链聚合物、1‑8份锂盐和35‑200份有机溶剂。本发明通过将隔膜基体在电解质浆料内浸润，使得刚性链聚合物、柔性链聚合物与锂盐进入隔膜基体内，并且在固化后能够在隔膜基体形成电解质层，能够有效提高固态电解质隔膜的机械性能，同时隔膜基体作为基础材料具有良好的隔气效果，并作为电解质层的载体，在获得高能量密度的同时能够有效提高安全性。
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公开(公告)号：CN119153661A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411414158.3
申请日：2024-10-11
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种富锂正极材料及其制备方法与应用，涉及锂电池正极材料技术领域。本发明提供的制备方法包括：将纳米富锂三元材料与糖类物质以质量比1：(0.5‑4)混合研磨后，在450‑600℃氧气含量20‑100％的气氛内煅烧并冷却后制得富锂正极材料；所述纳米富锂三元材料为具有层状晶体结构的Li1.2Ni0.13Co0.13Mn0.54O2。本发明通过将糖类物质与纳米富锂三元材料进行混合煅烧后，糖类物质形成缺陷较多的层状石墨结构并与纳米富锂三元材料进行良好地复合，形成微米级的结构单元，提高富锂正极材料在集流体上的附着性。
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公开(公告)号：CN115043374B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210547989.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法，首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列，然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列，接着引入第二聚合物，最后固化第一或第二聚合物，得到第一微结构阵列，由于第二纳液滴阵列压印作用，在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列，从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列，通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控，本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN114361275B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111558649.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。
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公开(公告)号：CN118119259B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118119259A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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公开(公告)号：CN114388675B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111568088.3
申请日：2021-12-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN115036378B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。(56)对比文件CN 110444617 A,2019.11.12CN 114256394 A,2022.03.29TW 201724376 A,2017.07.01US 2002005524 A1,2002.01.17US 2004178421 A1,2004.09.16US 2006118722 A1,2006.06.08US 2007158638 A1,2007.07.12
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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN116666291B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310947006.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种掩模预对准控制系统及方法，包括：粗调光源和精调光源，两光源分别发出不同光斑大小的准直光束通过合束光学元件形成同轴光束经过掩模预对准光机单元；掩模预对准光机单元，包括掩模预对准光路、掩模板和掩模位置调整运动单元、以及光束整形透镜组；多电极热电薄膜位置分析单元，根据不同光斑大小及位置的光束照射在多电极热电薄膜上，产生热电子扩散而形成多个电极上电压值组成的向量计算光斑位置；信号处理与控制单元，对所述光斑位置进行计算，并对光源和掩模位置调整运动单元进行控制，实现粗调和精调的控制。本发明采用粗调和精调模式，以及多电极大面积热电薄膜位置智能定位方法，大大提升了光刻机的良品率。
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