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公开(公告)号：CN119767813A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411890587.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 南昌大学
IPC: H10F39/10 , H10F30/222 , H10F77/14 , H10F77/70 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种长波红外探测器及其制备方法。包括多个探测像元，其中每一探测像元包括钛酸锶块体和热电薄膜层，每一热电薄膜层呈矩形阵列设有多个微孔结构，以探测0.4μm～15μm波段的红外光。制备方法包括在钛酸锶表面通过化学气相沉积法沉积热电薄膜，通过涂覆光刻胶后光刻形成长方形微孔结构图形，通过氩离子束刻蚀形成阵列排布的长方形微孔结构的像元，并在像元上制备金属电极和绝缘层。本发明的探测器因其独特的异质结构具有超宽波段红外探测能力，微孔结构的设计可以实现自驱动的高灵敏的红外探测。
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公开(公告)号：CN119997804A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510459906.8
申请日：2025-04-14
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种红外光电忆阻器及其制备方法。包括选取钛酸锶基片进行第一硒化铅膜生长以得到含第一硒化铅膜的钛酸锶基片；对第一硒化铅膜进行光刻刻蚀、敏化处理以得到含第二硒化铅膜的预成品，在其制备电极以得到红外光电忆阻器。基于本发明的制备方法和红外光电忆阻器，可实现红外光电忆阻器的组合阵列，拓展性强。本发明的红外光电忆阻器具有较广的光谱响应范围，可响应光谱范围覆盖可见光波段、短波红外、中波红外。此外本发明还具有低功耗节能特点，在源漏极通入电压脉冲即可改变器件的电导状态。本发明可调电导状态数量多。
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公开(公告)号：CN118119259B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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公开(公告)号：CN118119259A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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公开(公告)号：CN118738190A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CbBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115867104A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211545948.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H10N10/81 , H10N10/851 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构热电红外探测器及其制备方法。所述垂直结构直接集成在衬底上，所述衬底上设置有金属电极，将垂直结构阵列底部互联作为共地电极；所述垂直结构由热电材料层构成，作为整个红外探测器的光敏部位；所述垂直结构被透明绝缘层覆盖并在顶部开孔，设置有金属引出电极，用于信号传输。本发明像元间距小，红外光响应灵敏度高，信噪比大，可实现超大像素焦平面阵列制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。
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公开(公告)号：CN115326206A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211028948.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种热调控的上转换红外探测装置，包括可见光光源、分束镜，上转换器件，斩波器，红外目标光源，可见光探测器；可见光光源发出的光透过分束镜照射到上转换器件的发光材料上，在上转换器件发生光致发光效应；分束镜透过可见光光源发射的光波，且反射上转换器件表面的光致发光光波；可见光探测器探测经分束镜反射的上转换器件的发射光；红外目标光源发出的辐射经斩波器调制后成脉冲光，作用于上转换器件的红外探测材料上，用于调控上转换器件发光强度；斩波器用于调控辐射光源的频率。本发明制备成本低，制作工艺简单；对材料单晶性要求低，器件结构可调，操作简单；上转换效率可调，易于探测。
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公开(公告)号：CN119295860B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN119352166A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411907726.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料生长技术领域，具体涉及一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器，包括基底、石墨烯层和PbSe薄膜层，基底为硅或二氧化硅基底；其中，硅基PbSe单晶薄膜的表面粗糙度为4nm~10nm，缺陷密度为0.8nm‑2~1.2nm‑2，半峰宽为0.15°~0.2°；制备方法包括：采用湿法转移工艺将至少一层石墨烯转移至硅基底或二氧化硅基底表面，形成石墨烯层；采用化学气相沉积方法在石墨烯层上外延生长PbSe薄膜层。本发明的有益效果是本发明获得了在功能性基底（硅/二氧化硅）上高质量，单晶性优秀，表面平整的PbSe薄膜，同时优秀的表面平整度也更有利于阵列工艺的应用，有望实现硅基PbSe大面积阵列的应用。
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公开(公告)号：CN119295860A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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