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公开(公告)号：CN118738190A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CbBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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公开(公告)号：CN118119259B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118119259A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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公开(公告)号：CN119295860B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN119352166A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411907726.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料生长技术领域，具体涉及一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器，包括基底、石墨烯层和PbSe薄膜层，基底为硅或二氧化硅基底；其中，硅基PbSe单晶薄膜的表面粗糙度为4nm~10nm，缺陷密度为0.8nm‑2~1.2nm‑2，半峰宽为0.15°~0.2°；制备方法包括：采用湿法转移工艺将至少一层石墨烯转移至硅基底或二氧化硅基底表面，形成石墨烯层；采用化学气相沉积方法在石墨烯层上外延生长PbSe薄膜层。本发明的有益效果是本发明获得了在功能性基底（硅/二氧化硅）上高质量，单晶性优秀，表面平整的PbSe薄膜，同时优秀的表面平整度也更有利于阵列工艺的应用，有望实现硅基PbSe大面积阵列的应用。
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公开(公告)号：CN119295860A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN118738190B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CsBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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