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公开(公告)号：CN116666291A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310947006.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种掩模预对准控制系统及方法，包括：粗调光源和精调光源，两光源分别发出不同光斑大小的准直光束通过合束光学元件形成同轴光束经过掩模预对准光机单元；掩模预对准光机单元，包括掩模预对准光路、掩模板和掩模位置调整运动单元、以及光束整形透镜组；多电极热电薄膜位置分析单元，根据不同光斑大小及位置的光束照射在多电极热电薄膜上，产生热电子扩散而形成多个电极上电压值组成的向量计算光斑位置；信号处理与控制单元，对所述光斑位置进行计算，并对光源和掩模位置调整运动单元进行控制，实现粗调和精调的控制。本发明采用粗调和精调模式，以及多电极大面积热电薄膜位置智能定位方法，大大提升了光刻机的良品率。
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公开(公告)号：CN115394767A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210971490.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/16 , H01L27/144 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅/二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层。本发明与CMOS直接集成，像元间距小，可实现超大像素FPA制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。
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公开(公告)号：CN119767813A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411890587.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 南昌大学
IPC: H10F39/10 , H10F30/222 , H10F77/14 , H10F77/70 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种长波红外探测器及其制备方法。包括多个探测像元，其中每一探测像元包括钛酸锶块体和热电薄膜层，每一热电薄膜层呈矩形阵列设有多个微孔结构，以探测0.4μm～15μm波段的红外光。制备方法包括在钛酸锶表面通过化学气相沉积法沉积热电薄膜，通过涂覆光刻胶后光刻形成长方形微孔结构图形，通过氩离子束刻蚀形成阵列排布的长方形微孔结构的像元，并在像元上制备金属电极和绝缘层。本发明的探测器因其独特的异质结构具有超宽波段红外探测能力，微孔结构的设计可以实现自驱动的高灵敏的红外探测。
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公开(公告)号：CN117110250B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311387558.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N21/47 , G06N3/0895
Abstract: 本发明提供了一种深度学习辅助的物质定量分析方法，利用光源及驱动单元产生入射光波；利用光散射及物质作用单元与待测物质作用形成多模态散射光；利用多象限红外探测器通过N个独立光电探测芯片接收多模态散射光，并形成N个电压信号；利用智能分析单元对实时探测的N个电压信号以相同序列组成向量组，通过半监督型深度学习进行物质定量识别。本发明不受光谱分辨力局限、且无复杂通用光谱仪光谱结构实现了物质（混合气体和水污染物等）的高精度定量监测，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN118119259B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118119259A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410517414.5
申请日：2024-04-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种T型结构的光电探测器及其制备方法。本发明提供了一种T型结构的光电探测器，包括基底和阵列排布在所述基底表面的多个像元，所述像元的形状为T字形，且T字形的横边长和竖边长不相等；T字形的像元为T字形的热电半导体薄膜。本发明提供的光电探测器中阵列排布的T字形的像元为非对称结构，可以实现自驱动的焦平面光电成像。
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公开(公告)号：CN116666291B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310947006.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种掩模预对准控制系统及方法，包括：粗调光源和精调光源，两光源分别发出不同光斑大小的准直光束通过合束光学元件形成同轴光束经过掩模预对准光机单元；掩模预对准光机单元，包括掩模预对准光路、掩模板和掩模位置调整运动单元、以及光束整形透镜组；多电极热电薄膜位置分析单元，根据不同光斑大小及位置的光束照射在多电极热电薄膜上，产生热电子扩散而形成多个电极上电压值组成的向量计算光斑位置；信号处理与控制单元，对所述光斑位置进行计算，并对光源和掩模位置调整运动单元进行控制，实现粗调和精调的控制。本发明采用粗调和精调模式，以及多电极大面积热电薄膜位置智能定位方法，大大提升了光刻机的良品率。
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公开(公告)号：CN119295860B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN119352166A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411907726.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于材料生长技术领域，具体涉及一种硅基PbSe单晶薄膜及其制备方法和红外光电探测器，包括基底、石墨烯层和PbSe薄膜层，基底为硅或二氧化硅基底；其中，硅基PbSe单晶薄膜的表面粗糙度为4nm~10nm，缺陷密度为0.8nm‑2~1.2nm‑2，半峰宽为0.15°~0.2°；制备方法包括：采用湿法转移工艺将至少一层石墨烯转移至硅基底或二氧化硅基底表面，形成石墨烯层；采用化学气相沉积方法在石墨烯层上外延生长PbSe薄膜层。本发明的有益效果是本发明获得了在功能性基底（硅/二氧化硅）上高质量，单晶性优秀，表面平整的PbSe薄膜，同时优秀的表面平整度也更有利于阵列工艺的应用，有望实现硅基PbSe大面积阵列的应用。
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