公开(公告)号：CN119913613A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510386793.3

申请日：2025-03-31

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  郭博文

IPC: C30B25/18 ,  H10F77/12 ,  H10F30/10 ,  C30B29/46 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体单晶薄膜及其制备方法和光电探测器，涉及光电探测器技术领域。半导体单晶薄膜包括衬底、PbS缓冲层和半导体单晶层；PbS缓冲层是以生长在基片表面的PbS单晶块层为原料，在衬底表面连续生长而形成。本发明的有益效果在于利用PbS作为缓冲层晶格匹配生长高质量、单晶性优秀的半导体薄膜，同时利用化学气相沉积过程中管式炉加热不均匀产生的温度梯度，实现PbS缓冲层和半导体单晶层的连续生长，有效减少升温时间、降低成本，同时避免了多次转移导致的界面污染和缺陷引入，显著提高了薄膜的质量和性能。基于此技术制备的光电探测器，具有更高的灵敏度，可广泛应用于红外探测等领域。

公开(公告)号：CN119767813A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411890587.8

申请日：2024-12-20

Applicant: 南昌大学

Inventor： 王启胜 ,  郭博文 ,  成者 ,  冷康敏

IPC: H10F39/10 ,  H10F30/222 ,  H10F77/14 ,  H10F77/70 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种长波红外探测器及其制备方法。包括多个探测像元，其中每一探测像元包括钛酸锶块体和热电薄膜层，每一热电薄膜层呈矩形阵列设有多个微孔结构，以探测0.4μm～15μm波段的红外光。制备方法包括在钛酸锶表面通过化学气相沉积法沉积热电薄膜，通过涂覆光刻胶后光刻形成长方形微孔结构图形，通过氩离子束刻蚀形成阵列排布的长方形微孔结构的像元，并在像元上制备金属电极和绝缘层。本发明的探测器因其独特的异质结构具有超宽波段红外探测能力，微孔结构的设计可以实现自驱动的高灵敏的红外探测。