-
公开(公告)号：CN115394767A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210971490.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/16 , H01L27/144 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅/二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层。本发明与CMOS直接集成，像元间距小，可实现超大像素FPA制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
