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公开(公告)号：CN119997804A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510459906.8
申请日：2025-04-14
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种红外光电忆阻器及其制备方法。包括选取钛酸锶基片进行第一硒化铅膜生长以得到含第一硒化铅膜的钛酸锶基片；对第一硒化铅膜进行光刻刻蚀、敏化处理以得到含第二硒化铅膜的预成品，在其制备电极以得到红外光电忆阻器。基于本发明的制备方法和红外光电忆阻器，可实现红外光电忆阻器的组合阵列，拓展性强。本发明的红外光电忆阻器具有较广的光谱响应范围，可响应光谱范围覆盖可见光波段、短波红外、中波红外。此外本发明还具有低功耗节能特点，在源漏极通入电压脉冲即可改变器件的电导状态。本发明可调电导状态数量多。
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