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公开(公告)号：CN110197861B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层的V型缺陷侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN109378378B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN115036378B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。(56)对比文件CN 110444617 A,2019.11.12CN 114256394 A,2022.03.29TW 201724376 A,2017.07.01US 2002005524 A1,2002.01.17US 2004178421 A1,2004.09.16US 2006118722 A1,2006.06.08US 2007158638 A1,2007.07.12
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公开(公告)号：CN109037412B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN111769103B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010601783.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471060B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN112635634A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011418477.3
申请日：2020-12-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种紫外LED的P型欧姆反射电极结构及其制备方法，所述P型欧姆反射电极结构采用NiOx/Al。制备方法为：先沉积Ni层，厚度为0.1nm‑10nm；在含氧氛围下进行氧化，使镍氧化成NiOx，降低与P‑AlGaInN的接触电阻；再制备Al层，厚度为10 nm‑300 nm。本发明提出的NiOx/Al P型欧姆反射电极，应用于紫外LED，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，有助于获得高光效的紫外LED。
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公开(公告)号：CN112234134A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011050672.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L33/56 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED封装结构及其封装方法，该封装结构包括封装基板、若干颗间隔放置的LED芯片、固晶层、引线和复合封装胶结构；封装基板上有通过固晶层键合的若干LED芯片，LED芯片通过引线和基板电路连接，多基色LED芯片上有复合封装胶结构，复合封装胶结构由纯封装胶的第一封装胶层和掺有微纳米散射颗粒掺杂的第二封装胶层组成，并且第二封装胶层位于第一封装胶层周围。如此保证大部分光线直接从第一封装胶层出射，而大角度的光线在微米纳米颗粒掺杂的第二封装胶层内与微米纳米颗粒发生散射作用，从而改善不同LED芯片出光的各向均匀性，实现大视角的混光，同时保证高光提取效率。
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公开(公告)号：CN111968907A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010661636.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN109873062A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910083328.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0-2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
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