一种光催化材料及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117299197A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311240486.1

    申请日:2023-09-25

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开一种光催化材料及其制备方法,包括以下步骤:将氯化铯、氯化铅和氯化锰按照一定比例研磨混合,获得钙钛矿量子点前驱体;将钙钛矿量子点前驱体与分子筛负载体按照一定比例研磨混合,获得混合物料;将混合物料在惰性气氛中煅烧后进行养护,获得本发明的光催化材料;本发明的光催化材料的化学通式为CsPb1‑xMnxCl3@LTA(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8);该方法制备的光催化材料具有工艺简单,不包含任何有机溶剂,环境友好,便于大规模合成,稳定性良好和光催化性能优秀等特性,有良好的产业化应用前景。

    一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底

    公开(公告)号:CN112466795A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011243161.5

    申请日:2020-11-10

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底,包括:S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层,制备周期性Micro LED发光单元的阵列;S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底,制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列,获得转移衬底;S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料;S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料;S5将S1获得的Micro LED发光单元,一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底,去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接;S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀,微坑填入热塑性层形成弱连接结构,实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。

    一种多色Micro LED发光模组制备方法

    公开(公告)号:CN111769103A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010601783.4

    申请日:2020-06-29

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1-x-yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。

    一种钨冶炼渣合金化和微晶化同步处理方法

    公开(公告)号:CN111057855A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911345684.8

    申请日:2019-12-24

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 刘虎

    Abstract: 本发明公开了一种钨冶炼渣合金化和微晶化同步处理方法,包括:S1 将钨渣与还原剂混合均匀后经高温发生还原反应,钨渣中能被还原剂还原的金属氧化物被还原成金属单质得到钨渣中间体;S2 将步骤S1中得到的钨渣中间体与造渣剂混合,同时进行金属相的铁合金化和无机相的微晶化得到包括铁合金和高温无机渣的终渣;S3 将步骤S2中生成的铁合金和高温无机渣进行分离,完成钨渣中有价金属的回收;S4 将步骤S3中分离得到的高温无机渣直接转移至低温炉中进行成型、热处理去除应力、核化及晶化得到微晶玻璃,完成对高温无机渣的再利用。一步有效解决钨渣中有价金属的回收、有毒元素富集和固化和实现高值化三大难题。

    卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法

    公开(公告)号:CN109266343A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811213746.5

    申请日:2018-10-18

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法,其中,量子点胶体制备方法中包括:按照比例混合碳酸铯、油酸和十八烯,得到油酸铯溶液;按照比例混合卤化铅、油酸和十八烯得到溶液后,添加3-氨基丙基三乙氧基硅烷嫁接制备得到卤化铅前驱体;将油酸铯溶液注入卤化铅前驱体容器中,经离心获得粗量子点;将粗量子点水解预设时间后离心,获得有机硅包覆的量子点,经环己烷洗涤之后将其溶解在甲苯溶液中获得有机硅包覆的量子点胶体;将有机硅包覆的量子点胶体,根据使用需求与乙基纤维素按比例混合获得卤化铅铯钙钛矿量子点胶体,其分别采用了3-氨基丙基三乙氧基硅烷和乙基纤维素双层化学成键包覆,得到高稳定性的卤化铅铯钙钛矿量子点胶体。

    一种多色Micro LED发光模组制备方法

    公开(公告)号:CN111769103B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202010601783.4

    申请日:2020-06-29

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。

    基于磁控絮凝硅胶的稀土提取方法

    公开(公告)号:CN110079672B

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910328480.7

    申请日:2019-04-23

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁控絮凝硅胶的稀土提取方法,包括:依次对废旧稀土荧光粉进行酸溶、碱熔及水洗处理得到碱熔水洗产物;以纳米α‑Fe2O3为内核、硅包覆制备单分散α‑Fe2O3@SiO2,在氢气还原的环境中制备得到纳米Fe3O4@SiO2核壳结构前驱体之后嫁接阳离子型高分子制备阳离子磁性复合絮凝剂;将磁性复合絮凝剂分散于酸解溶液中后,投入碱熔水洗产物,其中的硅酸盐水解后被磁性复合絮凝剂吸附并絮凝;通过磁场左右方向变化控制磁性复合絮凝剂吸附溶液体系中的硅胶离子,并通过磁场将吸附有硅胶离子的磁性复合絮凝剂吸附于溶液底部辅助固液分离,获得稀土溶液。该方法不仅有效提高稀土荧光粉的回收、大大地降低了环境污染的风险,且变废为宝,具有显著的经济和环保效益。

    一种白光LED封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN108767085B

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201810390374.7

    申请日:2018-04-27

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种白光LED封装结构及封装方法,包括:蓝光LED芯片;用于固定蓝光LED芯片的封装基座,封装基座中包括一底座及设置在底座四周的围挡,蓝光LED芯片固定在底座上;设置在封装基座内、蓝光LED芯片上方的透光载体;设置在透光载体表面的多层色量子点涂层;设置在保护层表面的聚硅氧烷封装层。实现了多色量子点混色形成低色温、视觉效果好且稳定的暖白光LED。

    一种黄光LED封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN108548105A

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201810390375.1

    申请日:2018-04-27

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种黄光LED封装结构及封装方法,其中,该黄光LED封装结构中包括:蓝光LED芯片;用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座,所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡,所述蓝光LED芯片固定在所述底座上;连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线;固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层;固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层;沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层;设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层,得到高稳定性的半峰宽窄黄光钙钛矿型量子点LED。

    一种钨冶炼渣合金化和微晶化同步处理方法

    公开(公告)号:CN111057855B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201911345684.8

    申请日:2019-12-24

    Applicant: 南昌大学

    Inventor: 刘虎

    Abstract: 本发明公开了一种钨冶炼渣合金化和微晶化同步处理方法,包括:S1 将钨渣与还原剂混合均匀后经高温发生还原反应,钨渣中能被还原剂还原的金属氧化物被还原成金属单质得到钨渣中间体;S2 将步骤S1中得到的钨渣中间体与造渣剂混合,同时进行金属相的铁合金化和无机相的微晶化得到包括铁合金和高温无机渣的终渣;S3 将步骤S2中生成的铁合金和高温无机渣进行分离,完成钨渣中有价金属的回收;S4 将步骤S3中分离得到的高温无机渣直接转移至低温炉中进行成型、热处理去除应力、核化及晶化得到微晶玻璃,完成对高温无机渣的再利用。一步有效解决钨渣中有价金属的回收、有毒元素富集和固化和实现高值化三大难题。

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