公开(公告)号：CN117111420A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311099718.6

申请日：2023-08-30

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 王立 ,  刘海荣 ,  吴小明 ,  李新华 ,  郑畅达 ,  莫春兰 ,  李璠 ,  陈芳 ,  蒋恺 ,  顾思怡 ,  刘志华

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。