-
公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
-
公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
-
公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
-
公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117293157A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310589759.7
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法，该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片，利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列，然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上，实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组，最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜，该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤，实现窄发光峰的红光和绿光，同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。
-
公开(公告)号：CN119997703A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510157056.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 南昌实验室 , 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/03 , H10H29/30 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：在衬底上生长具有透光性的外延层；在外延层上整面沉积半透明金属键合层；在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记，金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面；键合半透明金属键合层和金属键合单元；去除衬底；根据光刻对版标记进行光刻，图案化处理外延层和半透明金属键合层，保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层，制备出单个的Micro‑LED像素单元，完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，不仅可以实现非对准键合，而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版，提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。
-
公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
-
公开(公告)号：CN117130084A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589816.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器，包括可见光透明衬底和介质滤波器，介质滤波器由两组介质膜组成，记第一介质膜组A，第二介质膜组B；第一介质膜组A控制长波长通道的位置，第二介质膜组B控制短波长通道的位置；可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置，实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高，能够减少目标波长的损失，同时滤波通道的半高宽窄，可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中，使显示的色纯度高和稳定性高。
-
公开(公告)号：CN116895681A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310803186.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.041 seconds)
