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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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公开(公告)号：CN117293157A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310589759.7
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法，该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片，利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列，然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上，实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组，最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜，该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤，实现窄发光峰的红光和绿光，同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。
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公开(公告)号：CN116314529A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211546929.5
申请日：2022-12-05
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。
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公开(公告)号：CN116314517A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310217081.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
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公开(公告)号：CN119630132A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411495607.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404074A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310235069.1
申请日：2023-03-13
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法，对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片，在制备方法上，在衬底上先生长过渡层，进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层，这样能提升材料质量和器件的内量子效率；另外，在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后，去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果，一是在外延被减薄后，LED芯片的纵向尺寸减小，横向尺寸不变，增大了LED芯片正向的出光角，而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层，在侧壁出光占比减小的情况下，LED芯片的正向出光性得到了提升，二是减少了这些部分对发射光的吸收；最终，结合粗化表面，能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN119997703A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510157056.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 南昌实验室 , 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/03 , H10H29/30 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：在衬底上生长具有透光性的外延层；在外延层上整面沉积半透明金属键合层；在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记，金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面；键合半透明金属键合层和金属键合单元；去除衬底；根据光刻对版标记进行光刻，图案化处理外延层和半透明金属键合层，保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层，制备出单个的Micro‑LED像素单元，完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，不仅可以实现非对准键合，而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版，提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。
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公开(公告)号：CN117130084A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589816.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器，包括可见光透明衬底和介质滤波器，介质滤波器由两组介质膜组成，记第一介质膜组A，第二介质膜组B；第一介质膜组A控制长波长通道的位置，第二介质膜组B控制短波长通道的位置；可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置，实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高，能够减少目标波长的损失，同时滤波通道的半高宽窄，可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中，使显示的色纯度高和稳定性高。
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公开(公告)号：CN116895681A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310803186.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
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公开(公告)号：CN117936665A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410121667.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开一种垂直结构Micro LED显示器件制备方法，包括S1、半导体层制备；S2、将半导体层转移至Micro LED基板；S3、Micro LED阵列制备；S4、第一电极制备；S5第二电极制备。步骤S2采用面对面键合将半导体层转移至Micro LED基板，无需制备金属凸点，无需对准键合，避免了现有单片集成方案需要将金属凸点对准键合的难点，在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，无需采用电极垫高等工艺，减少了制备过程中光刻次数，降低了制备难度。在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，因此键合金属层的厚度较薄，降低了键合金属用量，能在一定程度上降低制造成本。
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