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公开(公告)号：CN118707827A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410792486.0
申请日：2024-06-19
申请人： 国科大杭州高等研究院
摘要： 本发明提供基于导模共振原理实现结构色和彩色全息的方法及超表面，超表面光栅阵列单元的波长响应作为结构色中的颜色信息通道，结构色图像颜色信息被编码到超表面上不同光栅阵列单元的排布中，在白光照射下实现不同的颜色反射，呈现结构色效果；超表面光栅阵列单元的相位响应作为彩色全息中的颜色信息通道，全息图像颜色及相位信息通过旋转超表面上不同光栅阵列单元呈现，精确控制光栅阵列单元的相位分布，实现彩色全息图像的再现。所述超表面通过亚波长介质光栅的导模共振原理以及几何相位原理得到了极高的反射率、交叉偏振转换效率与极窄的半高全宽，使图像的亮度得到较大的提升，大大提升了结构色和彩色全息显示效果。
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公开(公告)号：CN113363344A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110635092.0
申请日：2021-06-08
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，探测器包括覆盖氧化硅的硅衬底，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移分子束外延生长的一维砷化铟纳米线，在一维砷化铟纳米线延伸方向制备源漏电极以及相应的引线电极，在一维砷化铟纳米线的导电沟道上面生长氧化铝栅介质层，分立栅电极分别与对数周期天线两臂互连，在与对数周期天线两臂间距中转移二维石墨烯导电沟道，二维石墨烯导电沟道全部覆盖分立栅电极的外部。本发明采用双通道、响应高且可多维度调控的太赫兹探测；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现室温、集成、多通道、可调控的太赫兹探测研究奠定器件与理论基础。
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公开(公告)号：CN115939229A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210307309.X
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用，覆盖有二氧化硅的硅衬底上通过干法转移二硫化钨纳米片，二硫化钨纳米片上制备场操控电极，两端制备源漏电极，二硫化钨纳米片用作场操控电极和两端源漏电极的光敏导电沟道，施加电压至场操控电极和源漏电极，通过非对称的电场增大光响应电流、降低暗电流。本发明提供了一种提高探测器的响应率的一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN115632076A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211312743.3
申请日：2022-10-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的铊镍硒光电探测器。本发明的一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。
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公开(公告)号：CN118431328B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410896719.1
申请日：2024-07-05
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0203 , H01L31/028
摘要： 本发明提供的具有全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，所述探测器件在覆盖氧化硅的硅衬底上依次转移黑磷层、石墨烯层和硒化铟层构成三明治结构，制备四叶草天线的四端电极以及相应的引线电极，四叶草天线的四端电极包括第一成对电极和第二成对电极，最后，在三明治结构与四叶草天线之上转移覆盖氮化硼绝缘层保护器件，防止器件导电沟道氧化。本发明的全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，为实现复杂环境下微弱信号室温、集成化、高灵敏度、自适应、超宽带探测奠定了器件设计结构与光电转换理论基础。
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公开(公告)号：CN116995127B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311246659.0
申请日：2023-09-26
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种可调控的黑砷场效应管、光电探测器及其应用，包括覆盖二氧化硅的硅衬底、黑砷纳米片和源、漏金属电极，覆盖二氧化硅的硅衬底包括本征高阻硅衬底及其上的二氧化硅层，在二氧化硅层上的是黑砷纳米片，在黑砷纳米片的两端是源、漏金属电极，源、漏电极与引线电极相连用于连接外部测试电路。本发明的一种可调控的黑砷场效应管，光电器件、应用及制备方法，具备具有高迁移率、集成度高、工艺成熟及可重复等优点，在医疗成像、安全筛选、环境监测和通信等民用和军事应用领域极具应用前景。
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公开(公告)号：CN116995127A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311246659.0
申请日：2023-09-26
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种可调控的黑砷场效应管、光电探测器及其应用，包括覆盖二氧化硅的硅衬底、黑砷纳米片和源、漏金属电极，覆盖二氧化硅的硅衬底包括本征高阻硅衬底及其上的二氧化硅层，在二氧化硅层上的是黑砷纳米片，在黑砷纳米片的两端是源、漏金属电极，源、漏电极与引线电极相连用于连接外部测试电路。本发明的一种可调控的黑砷场效应管，光电器件、应用及制备方法，具备具有高迁移率、集成度高、工艺成熟及可重复等优点，在医疗成像、安全筛选、环境监测和通信等民用和军事应用领域极具应用前景。
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公开(公告)号：CN116773146A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310439155.4
申请日：2023-04-23
申请人： 国科大杭州高等研究院 , 北京交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于光纤输出光斑图像的光纤错位检测方法，包括：(1)激光器向待检测光纤一端轴向发射激光信号；(2)光学相机接收待检测光纤末端输出的光斑图像；(3)对得到的光斑图像进行处理，获得其对应的径向能量密度曲线；(4)根据径向能量密度曲线主峰的偏移状态，获取光纤错位检测结果。本发明可以应用在某些不方便对光纤传输结构进行调整、检测的情况下，利用这种方法，可以从输出端去分析检查光纤传输过程中是否出现光纤的断裂、光纤间的错位情况等。
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公开(公告)号：CN116130529B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310359356.3
申请日：2023-04-06
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0336 , B82Y15/00 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的铊镍硒光电探测器。本发明的一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。
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公开(公告)号：CN116485827A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310286963.1
申请日：2023-03-23
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： G06T7/13 , G06T9/00 , G06N3/067 , G06N3/0464
摘要： 本发明公开了一种基于光波导结构的图像边缘检测装置和方法，包括：(1)将待检测图像中的每个像素点的像素值信息转化为激光强度信息；(2)通过激光器和光强调整元件逐个将每个像素块对应的激光强度信息输入至对应的光学波导算子结构；(3)光学波导算子结构对输入的光强信息进行调控；(4)收集光学波导算子结构输出的像素点对应的光强信息，并将对应的光强信息转化为像素信息，完成对图像边缘的检测。利用该方法，目前可以实现双通道的图像边缘检测，与传统电学检测方法相比，速度有很大提升，对目标图像轮廓有很好的检出效果，轮廓清晰、细节更加丰富。对图片进行两个波段进行输入检测，均能够识别出图像轮廓。
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