本发明公开了一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，探测器包括覆盖氧化硅的硅衬底，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移分子束外延生长的一维砷化铟纳米线，在一维砷化铟纳米线延伸方向制备源漏电极以及相应的引线电极，在一维砷化铟纳米线的导电沟道上面生长氧化铝栅介质层，分立栅电极分别与对数周期天线两臂互连，在与对数周期天线两臂间距中转移二维石墨烯导电沟道，二维石墨烯导电沟道全部覆盖分立栅电极的外部。本发明采用双通道、响应高且可多维度调控的太赫兹探测；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现室温、集成、多通道、可调控的太赫兹探测研究奠定器件与理论基础。